Кп 140е: 57946-14: КП-1Е, КП-140Е Регистраторы технологические

Научно-производственное предприятие «ЭЛЕМЕР» декларации в реестре на 31/07/2021

ТС RU С-RU.МЛ06.В.00071	Измерители-регуляторы технологические
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00094	Термопреобразователи сопротивления из платины и меди ТС
ТС N RU Д-RU.АЕ68.В.00141	Регистраторы технологические KC-1Е, KC-2Е		2019-11-06	9030310000
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00181	Термопреобразователи универсальные			9025198009
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00194	Преобразователи давления измерительные
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00202	Термопреобразователи универсальные			9025198009
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00163	Калибраторы давления пневматические			9026202000
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00179	Преобразователи давления измерительные			9026202000
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00161	Арматура трубопроводная для подсоединения датчиков давления:
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00149	Преобразователи давления измерительные			9026202000
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00185	Манометры электронные для точных измерений			9026202000
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00186	Термометры электроконтактные		2018-10-20	9026202000
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00173	Регистраторы многоканальные технологические		2012-07-20	9030310000
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00134	Термопреобразователи сопротивления из платины и меди ТС		2011-12-20	9025198009
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00069	Калибраторы-измерители унифицированных сигналов прецизионные		2023-01-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00060	Измерители-регуляторы технологические		2003-08-20	9030310000
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00164	Термопреобразователи		2001-06-20	9025198009
ТС RU С-RU.ОБ01.В.00160	Термопреобразователи с унифицированным выходным сигналом		2025-04-20	9025198009
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00057	Калибраторы температуры		2008-06-20
ТС N RU Д-RU.АЛ32.А.02989	Блок питания БП 906-24-2-150-РП-t4050-IVA, ТУ 4229-070-13282997-07
ТС N RU Д-RU.МЛ06.В.00075	Комплекс измерительно-вычислительный на базе модулей		2001-09-20
ТС N RU Д-RU.МЛ06.В.00076	Модули «ЭЛЕМЕР-EL-4000» по ТУ 4218-085-13282997-09 для использования в системах автоматического контроля, регулирования и управления технологическими процессами,		2001-09-20	8471500000
ТС N RU Д-RU.МЛ06.В.00074	Термометры злектроконтактные		2001-09-20	9030310000
ТС N RU Д-RU.АЕ68.В.00137	Регистраторы технологические КП-1Е, КП-140Е.		2030-10-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЮ62.В.02162	Термометры электроконтактные ТКП-150 ТУ 4211-126-13282997-2015 Маркировка взрывозащиты приведена в приложении (бланк № 0208566)		2023-06-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЮ62.В.02164	Измерители технологические цифровые ИТЦ 420/М3-5		2023-06-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЮ62.В.02163	Калибраторы давления малогабаритные «ЭЛЕМЕР-КДМ-020» ТУ 4381-119-13282997-2015 Маркировка взрывозащиты приведена в приложении (бланк № 0208567)		2023-06-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00048	Датчики давления		2027-12-20	9026202000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00031	Термометры электроконтактные автономные		2016-08-20	9025192000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00041	Термопреобразователи сопротивления из платины и меди ТС и их чувствительные элементы ЧЭ по ТУ 4211-012-13282997-2014,		2016-11-20
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00049	Преобразователи давления измерительные		2027-12-20	9026202000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00042	Преобразователь давления измерительный		2016-11-20	9026202000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00040	Измерители-регуляторы технологические (милливольтметры универсальные)		2016-11-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00043	Источники питания постоянного тока		2016-11-20
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00016	Источники питания постоянного тока БП 96/24, БП 96/36 по ТУ 4229-018-13282997-02		2027-04-20
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00017	Источники питания постоянного тока БПИ по ТУ 4229-047-13282997-03		2027-04-20	8504408209
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00026	Измерители-регуляторы технологические (милливольтметры универсальные)		2022-06-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00024	Измерители-регуляторы технологические (милливольтметры универсальные)		2022-06-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00001	Измерители-регуляторы технологические ИРТ 5500 по ТУ 4210-074-13282997-07		2015-03-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00025	Регистраторы многоканальные технологические		2022-06-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00039	Преобразователи давления измерительные		2015-11-20	9026202000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00038	Источники питания постоянного тока		2015-11-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00037	Измеритель-регулятор технологический (милливольтметр универсальный)		2015-11-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00036	Преобразователи термоэлектрические		2015-11-20	9025198009
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00035	Измеритель-регулятор технологический (милливольтметр универсальный)		2015-11-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00015	Преобразователи давления измерительные АИР-20/М2 по ТУ 4212-064-13282997-05		2022-04-20
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00007	Термометры многоканальные ТМ 51ХХ по ТУ 4210-024-13282997-2013		2014-04-20	9025192000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00008	Регистраторы многоканальные технологические РМТ 59, РМТ 69 по ТУ 4226-063-13282997-05		2014-04-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00050	Калибраторы-измерители унифицированных сигналов эталонные ИКСУ-260 по ТУ 4381-072-13282997-07		2028-01-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00002	Источники питания постоянного тока БП 906 по ТУ 4229-070-13282997-07		2017-03-20	8504408209
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00028	Преобразователи измерительные температуры и влажности		2022-07-20	9030310000
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00027	Преобразователи температуры и влажности измерительные		2022-05-20
ТС RU С-RU.МЛ06.В.00014	Преобразователи измерительные модульные ИПМ 0399/М3 по ТУ 4227-026-13282997-07		2021-04-20	9030310000
ЕАЭС N RU Д-RU.ОБ01.В.00110	Арматура трубопроводная для подсоединения датчиков давления:		2022-06-20
ТС N RU Д-RU.АЕ68.В.00140	Регистраторы многоканальные технологические РМТ 59, РМТ 69.		2019-11-06	9030310000

Мерник эталонный из нержавеющей стали М2Р-2000-01, передвижной (рама, шасси, насос КМ65-40-140Е)

Описание товара

Передвижная модификация в серии нержавеющих мерных аппаратов, оборудованная центробежным насосом для ускорения опорожнения мерного резервуара. 2000-литровый аппарат установлен на шасси, обеспечивающем его быстрое перемещение между различными измерительными баками и техническими мерными установками 2 класса.

Конструкция и комплектация

Представленный вариант мерника эталонного изготовлен из нержавеющей стали (марка 12Х18Н10Т), имеет индекс М2Р-2000-01, и передвижное исполнение, установлен на раму-шасси и оборудован насосом КМ65-40-140Е. В оригинальную конструкцию аппарата входят:

• Цельносварная цилиндрическая вертикально расположенная цистерна, с конусными днищами. К нижней части присоединен взрывозащищённый центробежный насос, а верхний конус продолжается заливной горловиной.
• Прикрепленная к горловине смотровая трубка со шкальной пластиной, которая градуирована метками номинальной вместимости с допустимыми отклонениями.
• Четырехколесная рама-шасси на пневматическом ходу с буксировочным приспособлением. С двух сторон рамы имеются по 2 домкрата. Они используются для жесткой фиксации и установки агрегата в рабочее положение. Точное нивелирование обеспечивает уровень, встроенный в корпус бака.

Достоинства

Мерник эталонный из нержавеющей стали М2Р-2000-01, передвижной (рама, шасси, насос КМ65-40-140Е), имеет ряд плюсов, присущих именно этой версии мерных агрегатов:

• сокращенное время поверки благодаря насосу, ускоряющему слив горючего;
• быстрое перемещение между проверяемыми объектами за счет использования шасси;
• увеличенные прочность и долговечность – результат применения легированной нержавеющей стали в изготовлении мерника.

Основная информация о приборе нанесена на табличку, прикрепленную к цистерне. У образцовых резервуаров этого класса максимальная погрешность номинальной наполненности не превышает ±0,1%. Показатель такого уровня необходимо ежегодно проверять в службе государственной метрологии.

Элемер | Регионприбор

НПП «ЭЛЕМЕР» — это крупнейший производитель контрольно-измерительных приборов и автоматики высокого качества. Мы выпускаем современную продукцию, востребованную многими предприятиями.

НПП «ЭЛЕМЕР» предлагает широкий ассортимент КИПиА, вся продукция имеет необходимые сертификаты. Каждая деталь проходит контроль качества, что позволяет нам гарантировать надежность и долгий срок службы приборов. Для этого создана собственная лаборатория, которая проводит испытания в соответствии со всеми современными требованиями.

В ассортименте КИПиА от НПП «ЭЛЕМЕР» вы найдете все, что необходимо для нормальной работы любого предприятия. Это датчики давления и температуры, запорная арматура, измерители-регуляторы, блоки питания, регистраторы, таймеры и многое другое.

 

Продукция Элемер:

 

Водосчетчики

Ультразвуковые расходомеры с автономным питанием серии FLOMIC

Ультразвуковые расходомеры с сетевым питанием серии SONOELIS

Электромагнитные расходомеры серии FLONET

 

Датчики гидростатического давления

АИР-20/М2-ДГ

 

Измерители — регуляторы технологические

ИПМ 0399/М0-Н

ИРТ 1730

ИРТ 5301

ИРТ 5320М

ИРТ 5320Н

ИРТ 5321Н

ИРТ 5323Н

ИРТ 5326Н

ИРТ 5920Н

ИРТ 5922

ИРТ 5922-МВ

ИРТ 5930

ИТЦ 420/М4-2

КП-140Е

РМТ 29

РМТ 49

РМТ 59М

 

Калибратор давления

ЭЛЕМЕР-ПКД-160

 

Манометры образцовые

ПДЭ-010И

 

Метрологическое оборудование

ТЦЭ-005/М3

ЭЛЕМЕР-КТ-500/М3

ЭЛЕМЕР-КТ-650Н

 

Приборы эталонные

ИКСУ-2012ПК

 

Термометры и датчики температуры

ТКП-100(А)

ТМ 5102(Д), ТМ 5103 (Д), ТМ 5104 (Д)

ТПУ 0304/М2-Н

ТПУ 0304/М3-МВ

ТЦМ 9410/М1НМ

 

Продукция КИПиА — Электронагрев

Поставляемая продукция КИП и А:

 

Регистраторы многоканальные технологические используются в качестве приборов измерения, регулирования и регистрации температуры. Также их используют для определения других неэлектрических величин (частоты, давления, расхода, уровня и др.). 

Регистраторы бумажные позволяют выводить все данные на цифровом индикаторе, а также отображать полученную информацию на диаграммной ленте в виде графика. Регистраторы безбумажные (или видеографические) позволяют сохранять всю полученную информацию во внутренней памяти прибора. Устройства отличаются от бумажных моделей способом хранения собранных данных. Регистраторы безбумажные позволяют вывести данные в виде графика, гистограммы или таблицы. Существует возможность комбинированных вариантов, вся информация появляется на встроенном цветном LCD-экране. При необходимости возможно перенести все данные на ПК при помощи карт памяти формата ММС или Flash. Также во всех модификациях реализована возможность передача данных при помощи СОМ-порта.

Виды регистраторов РМТ:

 

Регистраторы бумажные — РМТ 39D   — РМТ 49D

 

Регистраторы бумажные РМТ 39D и РМТ 49D — это высокое качество и надежность работы устройств. Регистраторы РМТ 39D и РМТ 49D обеспечивают долгий срок службы и имеют длительный межповерочный интервал — 2 года.

Регистраторы бумажные используются в качестве приборов измерения, регулирования и регистрации температуры и других неэлектрических величин (частоты, давления, расхода, уровня и др.), который преобразованы в унифицированные электрические сигналы силы, напряжения постоянного тока и активное сопротивление постоянному току. Регистраторы бумажные позволяют визуализировать все данные на цифровом индикаторе, а также отображать полученную информацию на диаграммной ленте в виде графика.

Сфера применения подобных устройств включает в себя машиностроительную и металлургическую отрасли промышленности, тепловую и атомную энергетику. Бумажные регистраторы также востребованы на предприятиях химической, нефтяной и газовой отрасли.

 

 

 

 

Регистраторы видеографические                       — РМТ 69                      — РМТ 69L                      — РМТ 59                      — РМТ 59L

 

 

 

Регистраторы видеографические (РМТ) — важная часть любой АСУТП. Видеографические регистраторы позволяют измерять, регулировать и регистрировать температуру или другие неэлектрические величины (частота, давление, расход и т.д.) преобразованные в унифицированные электрические сигналы силы тока, напряжения или активное сопротивление постоянному току. Также регистраторы видеографические (безбумажные) позволяют передавать данные в системы верхнего уровня по цифровым интерфейсам RS-232, RS-485 (Modbus RTU) и Ethernet (Modbus TCP).

Видеографические регистраторы отличаются от бумажных моделей способом хранения архивных данных. Безбумажные регистраторы позволяют сохранять всю полученную информацию во внутренней памяти прибора. Архивные данные можно перенести на ПК при помощи USB картs памяти или по цифровому интерфейсу Ethernet.

Видеографические регистраторы позволяют визуализировать данные в виде графика, гистограммы, таблицы, стрелочного индикатора, комбинированных вариантов или «мнемосхем». Вся информация отображается на встроенном цветном LCD-экране.

Регистраторы видеографические от НПП «ЭЛЕМЕР» — это устройства, предназначенные для использования на предприятиях металлургической, химической, газовой, нефтяной, машиностроительной и других отраслей промышленности, а также в энергетике (в том числе атомной). Гарантийный срок эксплуатации на видеографические регистраторы до 5-ти лет, а межповерочный интервал до 4-х лет.

 Первичные преобразователи — 50М, 50П, 100М, 100П, Pt100, ЖК (J), ХК (L), ХА (К), ПП (R), ПП (S), ПР (В), ВР (А-1), МКн (Т), НН (N), 0…5 мА, 0…20 мВ, 4…20 мА, 0…75 мВ, 0…100 мВ, 0…320 Ом, 0…10 В (с внешним делителем ВДВ 010)

 

 

Регистраторы технологические            -1КП-1Е, КП-140Е            — КС-1Е, КС-2Е

 

 

Регистраторы технологические предназначены для измерения, регулирования и регистрации температуры и других неэлектрических величин (частоты, давления, расхода, уровня и др.), преобразованных в электрические сигналы силы, напряжения постоянного тока и активное сопротивление постоянному току.

 

Хранение информации в этих приборах реализовано во внутренней памяти, а перенос данных на ПК осуществляется с помощью USB Flash-карты памяти или по интерфейсам RS-485 (КП-1Е, КП-140Е, КС-1Е, КС-2Е) и Ethernet (КС-1Е, КС-2Е).

 

Монтажные размеры новых приборов совпадают с монтажными размерами устаревших аналогов и позволяют осуществлять модернизацию АСУТП и переход на новые приборы КП-1Е, КП-140Е, КС-1Е, КС-2Е без дополнительных конструктивных изменений посадочных мест в щитах управления.

 

АИР:

 

Датчики давления предназначены для непрерывного преобразования абсолютного давления, избыточного давления, избыточного давления-разряжения, дифференциального давления, гидростатического давления в унифицированный выходной токовый сигнал 0…5 мА или 4…20 мА, являются микропроцессорными и имеют широкий модельный ряд.

 

 

Термопреобразователи с унифицированным выходным сигналом (ТСМУ, ТСПУ, ТХАУ, ТХКУ, ТПУ)

 

Термопреобразователи предназначены для преобразования значения температуры различных сред в различных отраслях промышленности теплоэнергетической, химической, металлургической, а также в сфере ЖКХ, в унифицированный токовый выходной сигнал 4…20 мА + HART.

Термопреобразователи используются для работы с жидкими, твердыми и газообразными средами. Использование термопреобразователей допускается для контроля температуры сыпучих сред, неагрессивных, а также агрессивных, по отношению к которым материалы, контактирующие с измеряемой средой, являются коррозионностойкими к материалу, из которого изготовлен корпус прибора.

Специальное конструктивное исполнение позволяет использование термопреобразователей для измерения температуры поверхностей.

 

ИПТВ:

 

 

Преобразователи измерительные температуры и влажности предназначены для измерения и непрерывного преобразования температуры и относительной влажности газовых сред в унифицированный токовый выходной сигнал 0…5 мА или 4…20 мА. Преобразователи температуры и влажности применяются при измерении гигрометрических характеристик газов в системах автоматического контроля, регулирования и управления технологическими процессами в промышленности, энергетике и сельском хозяйстве.

 

 

 

ТЦМ: 

 

 

 

Термометр цифровой малогабаритный (ТЦМ) предназначен для измерения температуры различных, в том числе агрессивных, сред с помощью погружных или контактных (для неподвижных и для вращающихся поверхностей) термопреобразователей. ТЦМ имеет небольшие габариты, отличается широким диапазоном возможного измерения и высокой точностью.

 

 

 

ИКСУ:

 

 

Калибратор-измеритель унифицированных сигналов ИКСУ-260 предназначен для воспроизведения и измерения электрических сигналов силы постоянного тока, напряжения постоянного тока, сопротивления постоянному току, а также для воспроизведения и измерения сигналов термометров сопротивления (ТС) и преобразователей термоэлектрических. ИКСУ-260 используются в качестве эталонного (образцового) средства измерения при поверке рабочих средств измерений, а также в качестве высокоточного средства измерения при калибровке, поверке и настройке средств измерений как в лабораторных и промышленных, так и в полевых условиях

 

 

Высокотемпературные термопреобразователи градуировок ТП-ПП, ПР:

 

 

 

Термоэлектрические преобразователи градуировок ПП(S), ПР(В) предназначены для измерения высоких (до +1700С) в окислительных и нейтральных газовых средах, не содержащих веществ, вступающих во взаимодействие с материалами термопары.

 

 

 

КТ:

 

 

Калибраторы температуры используются в качестве рабочих эталонов (поверочных установок) при поверке и калибровке термометров сопротивления (ТС), преобразователей термоэлектрических (ТП), термопреобразователей с унифицированным выходным сигналом, а также при поверке, калибровке и градуировке радиационных термометров (пирометров). Отличительной особенностью всех моделей калибраторов температуры является встроенный эталонный преобразователь температуры, что позволяет реализовывать температуру в термостатирующем блоке с уникальной точностью без использования внешнего эталона.

 

 

ЭТС-100: 

Эталонные термометры сопротивления  предназначены для проверки точности измерений различных приборов. Также они используются для измерения температуры повышенной точности в различных сферах промышленного производства. Эталонные термометры необходимы также в научной деятельности, где точность данных особенно важна.

 

 

Фото

Доставка

Мы предлагаем несколько возможностей доставки продукции Электронагрев:

Самовывоз
Забрать груз самостоятельно со склада

Курьерская доставка
по Вашему адресу

Доставка транспортными компаниями

 

Поставляемая продукция КИП и А:

 

Регистраторы многоканальные технологические используются в качестве приборов измерения, регулирования и регистрации температуры. Также их используют для определения других неэлектрических величин (частоты, давления, расхода, уровня и др.). 

Регистраторы бумажные позволяют выводить все данные на цифровом индикаторе, а также отображать полученную информацию на диаграммной ленте в виде графика. Регистраторы безбумажные (или видеографические) позволяют сохранять всю полученную информацию во внутренней памяти прибора. Устройства отличаются от бумажных моделей способом хранения собранных данных. Регистраторы безбумажные позволяют вывести данные в виде графика, гистограммы или таблицы. Существует возможность комбинированных вариантов, вся информация появляется на встроенном цветном LCD-экране. При необходимости возможно перенести все данные на ПК при помощи карт памяти формата ММС или Flash. Также во всех модификациях реализована возможность передача данных при помощи СОМ-порта.

Виды регистраторов РМТ:

 

Регистраторы бумажные — РМТ 39D   — РМТ 49D

 

Регистраторы бумажные РМТ 39D и РМТ 49D — это высокое качество и надежность работы устройств. Регистраторы РМТ 39D и РМТ 49D обеспечивают долгий срок службы и имеют длительный межповерочный интервал — 2 года.

Регистраторы бумажные используются в качестве приборов измерения, регулирования и регистрации температуры и других неэлектрических величин (частоты, давления, расхода, уровня и др.), который преобразованы в унифицированные электрические сигналы силы, напряжения постоянного тока и активное сопротивление постоянному току. Регистраторы бумажные позволяют визуализировать все данные на цифровом индикаторе, а также отображать полученную информацию на диаграммной ленте в виде графика.

Сфера применения подобных устройств включает в себя машиностроительную и металлургическую отрасли промышленности, тепловую и атомную энергетику. Бумажные регистраторы также востребованы на предприятиях химической, нефтяной и газовой отрасли.

 

 

 

 

Регистраторы видеографические                       — РМТ 69                      — РМТ 69L                      — РМТ 59                      — РМТ 59L

 

 

 

Регистраторы видеографические (РМТ) — важная часть любой АСУТП. Видеографические регистраторы позволяют измерять, регулировать и регистрировать температуру или другие неэлектрические величины (частота, давление, расход и т.д.) преобразованные в унифицированные электрические сигналы силы тока, напряжения или активное сопротивление постоянному току. Также регистраторы видеографические (безбумажные) позволяют передавать данные в системы верхнего уровня по цифровым интерфейсам RS-232, RS-485 (Modbus RTU) и Ethernet (Modbus TCP).

Видеографические регистраторы отличаются от бумажных моделей способом хранения архивных данных. Безбумажные регистраторы позволяют сохранять всю полученную информацию во внутренней памяти прибора. Архивные данные можно перенести на ПК при помощи USB картs памяти или по цифровому интерфейсу Ethernet.

Видеографические регистраторы позволяют визуализировать данные в виде графика, гистограммы, таблицы, стрелочного индикатора, комбинированных вариантов или «мнемосхем». Вся информация отображается на встроенном цветном LCD-экране.

Регистраторы видеографические от НПП «ЭЛЕМЕР» — это устройства, предназначенные для использования на предприятиях металлургической, химической, газовой, нефтяной, машиностроительной и других отраслей промышленности, а также в энергетике (в том числе атомной). Гарантийный срок эксплуатации на видеографические регистраторы до 5-ти лет, а межповерочный интервал до 4-х лет.

 Первичные преобразователи — 50М, 50П, 100М, 100П, Pt100, ЖК (J), ХК (L), ХА (К), ПП (R), ПП (S), ПР (В), ВР (А-1), МКн (Т), НН (N), 0…5 мА, 0…20 мВ, 4…20 мА, 0…75 мВ, 0…100 мВ, 0…320 Ом, 0…10 В (с внешним делителем ВДВ 010)

 

 

Регистраторы технологические            -1КП-1Е, КП-140Е            — КС-1Е, КС-2Е

 

 

Регистраторы технологические предназначены для измерения, регулирования и регистрации температуры и других неэлектрических величин (частоты, давления, расхода, уровня и др.), преобразованных в электрические сигналы силы, напряжения постоянного тока и активное сопротивление постоянному току.

 

Хранение информации в этих приборах реализовано во внутренней памяти, а перенос данных на ПК осуществляется с помощью USB Flash-карты памяти или по интерфейсам RS-485 (КП-1Е, КП-140Е, КС-1Е, КС-2Е) и Ethernet (КС-1Е, КС-2Е).

 

Монтажные размеры новых приборов совпадают с монтажными размерами устаревших аналогов и позволяют осуществлять модернизацию АСУТП и переход на новые приборы КП-1Е, КП-140Е, КС-1Е, КС-2Е без дополнительных конструктивных изменений посадочных мест в щитах управления.

 

АИР:

 

Датчики давления предназначены для непрерывного преобразования абсолютного давления, избыточного давления, избыточного давления-разряжения, дифференциального давления, гидростатического давления в унифицированный выходной токовый сигнал 0…5 мА или 4…20 мА, являются микропроцессорными и имеют широкий модельный ряд.

 

 

Термопреобразователи с унифицированным выходным сигналом (ТСМУ, ТСПУ, ТХАУ, ТХКУ, ТПУ)

 

Термопреобразователи предназначены для преобразования значения температуры различных сред в различных отраслях промышленности теплоэнергетической, химической, металлургической, а также в сфере ЖКХ, в унифицированный токовый выходной сигнал 4…20 мА + HART.

Термопреобразователи используются для работы с жидкими, твердыми и газообразными средами. Использование термопреобразователей допускается для контроля температуры сыпучих сред, неагрессивных, а также агрессивных, по отношению к которым материалы, контактирующие с измеряемой средой, являются коррозионностойкими к материалу, из которого изготовлен корпус прибора.

Специальное конструктивное исполнение позволяет использование термопреобразователей для измерения температуры поверхностей.

 

ИПТВ:

 

 

Преобразователи измерительные температуры и влажности предназначены для измерения и непрерывного преобразования температуры и относительной влажности газовых сред в унифицированный токовый выходной сигнал 0…5 мА или 4…20 мА. Преобразователи температуры и влажности применяются при измерении гигрометрических характеристик газов в системах автоматического контроля, регулирования и управления технологическими процессами в промышленности, энергетике и сельском хозяйстве.

 

 

 

ТЦМ: 

 

 

 

Термометр цифровой малогабаритный (ТЦМ) предназначен для измерения температуры различных, в том числе агрессивных, сред с помощью погружных или контактных (для неподвижных и для вращающихся поверхностей) термопреобразователей. ТЦМ имеет небольшие габариты, отличается широким диапазоном возможного измерения и высокой точностью.

 

 

 

ИКСУ:

 

 

Калибратор-измеритель унифицированных сигналов ИКСУ-260 предназначен для воспроизведения и измерения электрических сигналов силы постоянного тока, напряжения постоянного тока, сопротивления постоянному току, а также для воспроизведения и измерения сигналов термометров сопротивления (ТС) и преобразователей термоэлектрических. ИКСУ-260 используются в качестве эталонного (образцового) средства измерения при поверке рабочих средств измерений, а также в качестве высокоточного средства измерения при калибровке, поверке и настройке средств измерений как в лабораторных и промышленных, так и в полевых условиях

 

 

Высокотемпературные термопреобразователи градуировок ТП-ПП, ПР:

 

 

 

Термоэлектрические преобразователи градуировок ПП(S), ПР(В) предназначены для измерения высоких (до +1700С) в окислительных и нейтральных газовых средах, не содержащих веществ, вступающих во взаимодействие с материалами термопары.

 

 

 

КТ:

 

 

Калибраторы температуры используются в качестве рабочих эталонов (поверочных установок) при поверке и калибровке термометров сопротивления (ТС), преобразователей термоэлектрических (ТП), термопреобразователей с унифицированным выходным сигналом, а также при поверке, калибровке и градуировке радиационных термометров (пирометров). Отличительной особенностью всех моделей калибраторов температуры является встроенный эталонный преобразователь температуры, что позволяет реализовывать температуру в термостатирующем блоке с уникальной точностью без использования внешнего эталона.

 

 

ЭТС-100: 

Эталонные термометры сопротивления  предназначены для проверки точности измерений различных приборов. Также они используются для измерения температуры повышенной точности в различных сферах промышленного производства. Эталонные термометры необходимы также в научной деятельности, где точность данных особенно важна.

 

 

Силосы

Силос — стальная, железо-бетонная или полимерная вертикальная емкость для хранения сыпучих (порошкообразных) материалов и веществ в производстве, строительстве и сельском хозяйстве. Конструктивно изготавливаются в виде цилиндрической или прямоугольной емкости с коническим дном имеющем отверстие для выгрузки содержимого, их объём зависит от условий эксплуатации и требований к объёмам производства и их производство связано с решением серьёзных задач, которые обеспечат безаварийную эксплуатацию в дальнейшем.

Значение слова «силос» уходит в древние времена, где с этим словом соединяли понятие известной меры объема, позднее этот термин стал применяться к специальным сооружениям вырытым в земле или пещере, где хранилось зерно и различные сыпучие материалы и продукты.

Разновидностью стальных силосов являются стальные бункеры, которые отличаются конструктивом и применяются в определённых областях производства, но также используются для хранения зерна, песка, муки и химических веществ и удобрений применяемых в сельском хозяйстве.

Мы производим силосы следующего назначения:

Назначение силосов

Силосы являются одним из самых распространённых видов емкостного оборудования предназначенного для хранения сыпучих веществ на производстве. Благодаря своей конструкции силос позволяет оперативно производить как загрузку, так и выгрузку содержимого с помощью пневматических насосов (в случае с сыпучими материалами) или посредством транспортёрной ленты производить загрузку, а выгрузка происходит путём открытия окна установленного на днище силоса. Силоса позволяют осуществлять длительное хранение содержимого, т.к. силос в первую очередь представляет собой закрытую вертикальную емкость с коническим дном, защищённую от внешних воздействий.

Неоспоримым преимуществом стальных силосов является их масштабируемость. Ввиду того, что силос по форме представляет собой вертикальную ёмкость, при большом хранимом объёме сыпучих материалов площадь, занимаемая силосом несколько квадратных метров. Например стальной силос объёмом 100 куб.м. занимает площадь около 9 квадратных метров.

ООО «ДЗМ» производит стальные силосы для цемента, силосы для зерна, силосы для муки, силосы для песка, а также комбикорма, строительных смесей, различных удобрений и прочих сыпучих веществ и материалов. Наряду с различными емкостями, резервуарами и баками, стальные силосы являются нестандартными металлоконструкциями, а зачастую и негабаритными емкостями, что требует специальных условий транспортировки силосов до места непосредственной эксплуатации. Спрос на стальные силосы очень велик, что обусловлено большим количеством растущих и расширяющихся предприятий, деятельность которых связана с производством или хранением сыпучих материалов и веществ. Производимые силосы снабжены необходимыми приспособлениями и устройствами (трубная обвязка), для удобства их использования в промышленности связанными с хранением сыпучих веществ и их погрузкой. Силосы изготавливаемые нашим предприятием обладают высоким качеством и долговечностью. За время нашей работы силосы нашего производства установлены на ряде предприятий России и стран Ближнего Зарубежья, в том числе и в северных регионах.

Конструктивные особенности силосов

Чаще всего силос изготавливают в виде цилиндрической вертикальной емкости имеющей коническое дно с отверстием для выгрузки содержимого. Снаружи силос оборудован несущими элементами (стальной каркас и основание), оборудованием для его обслуживания (лестницы, перила, поручни и т.д.), а также специальными приспособлениями для загрузки и разгрузки (задвижки, насосы и т.п.). Но силосы не ограничиваются лишь цилиндрической формой, к примеру для асфальтового производство и хранения удобрений часто используют стальные силосы прямоугольной формы.

Отдельной разновидностью силоса для хранения сыпучих веществ является прямоугольный бункер. Бункером называется вместилище для бестарного хранения сыпучих и кусковых материалов, разгружающееся через нижнюю часть, оборудованную затворами. Такой бункер чаще всего применяют на асфальто-бетонном производстве. Прямоугольная форма силоса обусловлена тем, что загрузка веществ и материалов происходит сверху экскаватором или бульдозером, и в связи с этим прямоугольный силос позволяет получить больший размер загрузочного окна и не требует изготовления специальной воронки для увеличения площади загрузочного окна.

Разгрузка бункера осуществляется гравитационным способом (самотёком), но в особых случаях прибегают к принудительным способам разгрузки.

Бункера получили широкое распространение на транспорте и в промышленности. На транспорте их применяют в железнодорожных бункерных эстакадах, прирельсовых и портовых складах сыпучих материалов.

В промышленности бункер обычно является составной частью технологического процесса, где он выполняет по крайней мере три функции: аккумулирование, распределение и усреднение сыпучего материала.

По материалу конструкций бункера бывают стальные, железобетонные комбинированные и реже деревянные. Стальные бункера наиболее экономичны и индустриальны. Их проще реализовать и эксплуатировать, в том числе на транспортных средствах.

Наибольшее распространение получили пирамидально — призматические стальные бункера, как наиболее простые и доступные. Они относятся к разряду точечных, имеют ограниченную ёмкость ( до 1000 т ), поэтому часто используются в многоячейковых системах.

Производство силосов

Производство силосов для хранения сыпучих веществ и материалов имеет в своей основе ряд технологических подходов, которые позволяют обеспечить их эксплуатацию без потерь и аварий. В отличии от обычных емкостей для хранения жидкостей необходимо обеспечить беспрепятственное движение содержимого по силосу, его выдачу и хранение. Процесс изготовления стального силоса имеет свои характерные отличия.

Мы производим силосы как для внутреннего размещения в цехах, так и для наружного размещения под открытым небом. Также мы готовы предложить и сборные силосы, секции которого имеют болтовое соединение.

Силосы для цемента и построения цементных хранилищ

Силосы для цемента являются одним из приоритетных направлений производства емкостного оборудования, предназначенных для построения хранилищ цемента на производстве и строительстве.

Цемент — это вещество, которое приходит в негодность, если хранится при высокой влажности или вообще в сыром помещении или сырой емкости. Поэтому для хранения цемента оптимально подходит стальной силос для цемента, который позволяет хранить, выгружать и загружать цемент предотвращая его соприкосновение с окружающей средой, а также при производстве различных железобетонных изделий позволяет подавать цемент и песок в емкость для смешивания. Закрытость — это достоинство силосов имеет большое значение при хранении цемента, т.к. под воздействием влаги цемент становится непригодным для дальнейшего использования. Т.о. силос для хранения больших объёмов цемента позволяет хранить цемент, отгружать его в автомашину для транспортировки без соприкосновения с окружающей средой. При производстве строительных материалов или бетона силосы используют в качестве емкости, которая позволяет дозировать объём загружаемой массы бетона в форму или автомашину. Благодаря свободной масштабируемости силосы для цемента, как и другие силосы, позволяют строить цементные хранилища неограниченного объёма и при этом занимают небольшую площадь.

Силосы для зерна и строительства элеваторов

Широкое применение силосы получили для хранения зерна, с их помощью производится построение зернохранилищ любых объёмов. В отличии от других способов хранения зерна, хранение зерна в силосах позволяет без лишнего оборудования отгружать зерно непосредственно в автомашины и транспортировать его до места переработки. При этом зерновые силосы надёжно защищают содержимое от внешних воздействий.

Силосы стали основным хранилищем зерна на элеваторах, т.к. позволяют без лишних затрат загружать и выгружать зерно с помощью погрузочного рукава, защищают его от внешних климатических воздействий. Бесспорным приемуществом является масштабируемость зернохранилищ с использованием силосов, т.к. при необходимости можно установить любое количество новых силосов. Таким образом при небольших занимаемых площадях можно создавать большие элеваторные хранилища, т.к. силос это вертикальный резервуар требующий небольшой площади для установки.

Производство силосов, требует от производителя немалого опыта. В связи с этим производство силосов, резервуаров, емкостей относятся к нестандартным. Чаще всего стальные силосы приходится изготавливать по индивидуальному заказу и исходя из требований Заказчика, ввиду того, что размеры должны учитывать объем помещения на предприятии, где они будут установлены. В этом случае необходима помощь опытных специалистов, способных произвести точные расчеты параметров будущей установки.

Силосы для комбикорма

Производство комбикорма связано с хранением сыпучих компонентов для изготовления комбикорма, а для хранения сыпучих веществ самое оптимальное средство — силосы. ООО «ДЗМ» производит силосы для хранения комбикорма.

Хранение больших объёмов комбикорма на животноводческих комплексах сопряжено с определёнными трудностями. Например, большие объёмы комбикорма требуют значительных площадей для хранения мешков, а также необходимо не допустить попадания влаги. Эти проблемы способен решить стальной силос. Ведь силос это прежде всего вертикальная емкость, способная вмещать несколько десятков и даже сотен тонн комбикорма, но при этом занимает небольшую площадь, и способна обеспечить защиту. Загрузка и выгрузка комбикорма из силоса производится с помощью шнека или пневмонасоса.

Силосы для асфальтно-бетонных заводов

Конструктивно силосы для асфальто — бетонных заводов представляют собой изделие цилиндрической или прямоугольной формы. На асфальтных заводах силосы используют в качестве хранилища компонентов асфальта или часть технологической системы по производству асфальта.

Силосы для хранения топливных пеллет и топливных гранул

С развитием газоснабжения отопление с помощью угля и дров ушло в прошлое, но на большей части загородных территорий и в сельской местности газоснабжение развито крайне слабо. Одним из способов экологически чистого способа отопления домов является отопление с помощью пеллет или топливных гранул изготовленных из отходов дерево-перерабатывающей и сельскохозяйственной промышленности. Так топливные пеллеты обычно изготавливают из древесных опилок, стружки, листьев, веток, сучков и т.п. Ввиду того, что дерево способно впитывать влагу, то и пеллеты необходимо защищать от воздействия влаги и для них требуется обеспечить сухое хранение. Нашей фирмой изготавливаются силосы для хранения пеллет объёмом от 3 куб.м., способные не только хранить, но и поставлять к котлу отопления пеллеты с помощью шнека.

Силосы для хранения наполнителей предназначенных туалета животных

Силосы идеально подходят для хранения сыпучих материалов и веществ, так на производстве наполнителей для кошачьего туалета испльзование силосов позволяет обеспечить сохранность материалов.

Комплектация силосов

В комплект каждого силоса входит, сам силос, а также опорные конструкции силоса, площадка обслуживания, загрузочная труба, ограждения.

Минимальная комплектация стального силоса:

• Стальная силосная емкость;
• Опорные конструкции силоса;
• Площадка обслуживания;
• Лестница;
• Загрузочная труба;
• Ограждения;
• Фланец разгрузочного отверстия на конусе силосной емкости;
• Люк с крышкой.

 

При необходимости комплектация силоса может быть расширена и дополнена устройствами (фильтры, датчики, аэрационные устройства, вибрационные устройства и т.п.).

Материалы применяемые при изготовлении силосов изготавливаются из высококачественной стали и покрыты антикоррозийным составом, что позволяет стальным силосам работать в любых климатических условиях и служит гарантией их долговечности. Детали силосов изготавливаются из стали толщиной 6 — 12 мм. Для производства силосов ООО «ДЗМ» оснащен современным металлообрабатывающим оборудованием, а после сварки металлоконструкций все сварочные швы проходят контроль качества. Снаружи силосы покрываются специальными красками для защиты от коррозии и внешнего воздействия. При необходимости силос может быть дополнительно утеплён снаружи.

Металлические силосы – прочны, надежны, долговечны. Выгрузка материалов из силоса может осуществляться шнеком или пневмонасосом, а подача материалов в силос осуществляется непосредственно из транспортного средства, по наклонному ленточному транспортеру или пневмоподатчиком. В зависимости от особенностей эксплуатации может незначительно меняться конструкция металлического силоса. ООО «ДЗМ» производит изготовление силосов различного объёма (от 20 куб.м. до 200 куб.м.). При этом очень важно заранее, при заказе силоса, обдумать все эти моменты, что бы точно определиться и с конструкцией агрегата, и с необходимым списком дополнительного оборудования.

Также следует уделить внимание качеству металла используемого при производстве силосов. Все материалы применяемые при производстве силосов, обязательно сертифицированны на соответствие требованиям ГОСТа. В производстве силосов, емкостей и резервуаров используются технологии, позволяющие проводить обработку металла с особой точностью, что способствует повышению качества продукции, его долговечности и надёжности независимо от условий эксплуатации и транспортировки.

Силосы цемента могут комплектоваться пылеуловителем, который предназначен для предотвращения попадания цементной пыли в атмосферу, предотвращая выброс цемента наружу. Конструктивно пылеуловитель силоса устанавливается в верхней части силоса.

Фотографии силосов для цемента, зерна, песка, муки и других сыпучих веществ вы можете посмотреть в нашей фотогалерее.

Достоинства силосов

• прочность — за счёт применения высококачественной стали с применением элементов жёсткости силос выдерживает значительные механические нагрузки не разрушаясь и сохраняя свою форму под воздействием содержимого и внешней среды;
• надёжность — все силосы проходят контроль качества и испытания, что гарантирует их долговечность;
• удобство загрузки/выгрузки содержимого — благодаря своей цилиндрической форме силосы позволяют производить удобную загрузку и выгрузку содержимого;
• масштабируемость силосных хранилищ — небольшая занимаемая площадь силосом позволяет создать на небольшом участке земли хранилища цемента, хранилища песка, хранилища муки или других сыпучих веществ, любого объёма.

Номинальные объёмы производимых силосов

Одними из самых распространённых объёмов являются силосы следующих объёмов:

Но приведённые объёмы не являются окончательными. При необходимости мы готовы изготовить силос любого объема от 3 куб.м до 120 куб.м.. Количество заказа — от 1 шт.

Монтаж и установка

Конструктивно силосы снабжены опорной системой с пластинами, которыми силос крепится к закладным пластинам с помощью сварки или винтового соединения. Для установки силоса, как правило требуется фундамент с закладными пластинами или крепёжными шпильками, которые бетонируются в соответствии с размерами опорной системы силоса.

---

Специалисты нашего предприятия произведут полный расчёт необходимого цементного хранилища для вашего предприятия.

Кроме производства новых стальных силосов для цемента, муки, зерна и песка наша фирма занимается покупкой силосов бывших в употреблении для последующей продажи, а также занимается продажей силосов бывших в употреблении.

Узнать о стальных силосов, ценах и условиях доставки или сделать заказ на силосы, можно по телефону 8 (495) 506-40-93. Наши менеджеры помогут в выборе необходимого емкостного оборудования.

Силос (объем 70 тонн)	Силосы для муки (объем 70 тонн)	Силосы для цемента
Силосы для муки (объем 70 тонн)	Силос объёмом 80 куб.м.	Силос для цемента

Для заказа стального силоса заполните опросный лист для стальных силосов

Выбор вторичного прибора (сравнить 5 приборов). — Студопедия

В процессе сушки датчика измеряют давление, но не всегда в тех единицах в которых устраивают персонал. Для этого и были придуманы вторичные приборы которые воспринимают сигнал и преобразующее его в форму, удобную наблюдения. Существует очень много вторичных приборов, здесь я сравню наиболее распространенные.

Наименование характеризуемого параметра	КСД-3	Регистраторы технологические КС-1Е	регистраторы технологические КП-140Е	ИТЦ 420/М4-1	Измерители-регуляторы ИРТ 5922-МВ
1.Измеряемый параметр	Давление
2. Измеряемая среда	Давление
3. Диапазон измерения	От 0 до 100 атм
4. Погрешность измерения	1—1,5%
5. Климатические исполнения	От -40 до +50
6. Выходные сигналы	4…20 мА	0…5 или 4…20 мА
7. Межповерочный интервал	1 год	2 года	2 года	2года	5лет
8.Напряжение питания	220 V
9. Потребляемая мощность	20 В	30 В	30 В	30 В	30 В
10. Сопротивление нагрузки	0.5 кОм
11. Масса	3 кг	2 кг	2 кг	2.5 кг	2 кг

Выбор и описание регулирующего устройства

В настоящее время в качестве автоматических устройств, применяемых в автоматизированных системах регулирования, могут быть использованы как автоматические регуляторы, так и микропроцессорные контроллеры. В нашем случаи я рассмотрю автоматический регулятор АРС-01 Автоматический регулятор соотношения топливо-воздух АРС-01 предназначен для программного регулирования соотношения топливо-воздух горелочного устройства с целью подержания оптимального режима сгорания топлива.

АРС-01 обеспечивает:

• Регулирование соотношения топливо-воздух «ПИД» закону;
• Управление в ручном и автоматическом режимах исполнительным механизмом воздуха типа однофазного МЭО* или ЧРП;
• Два режима работы регулятора в автоматическом режиме «Вентиляция» и «ПИД- регулирование»;
• Задание от 2 до 10 точек таблицы соотношения;
• Корректировка таблицы соотношения с помощью температурного коэффициента;
• Индикацию давления (расхода, перепада) топлива и воздуха;
• Индикацию записанной таблицы соотношения топливо/воздух;
• Индикацию режимов работы;

Рисунок 14 АРС-01

Наименование параметра	Значение
Температура окружающей среды, °С	+5…+50
Относительная влажность воздуха при температуре воздуха +35°С, %	30…80
Атмосферное давление, кПа	86…107
Средняя наработка на отказ, не менее, час
Назначенный срок службы, не менее, лет
Напряжение питания, В	187…244

Автоматический режим

При наличии на входе «Режим» сигнала низкого уровня формируются сигналы ПИД регулировании ИМ воздуха в соответствии с таблицей соотношения и учетом температурного коэффициента коррекции «К»,
При наличии на входе «Режим» сигнала высокого уровня:

1.На дискретных выходах управления МЭО в первые 30 секунд* формируются сигналы на закрытие, этот режим используется для разгона вентилятора. После этого, формируются сигналы регулирования по ПИД закону для постоянной заранее заданной уставки давления воздуха, этот режим используется для вентиляции.

2.На токовом выходе в первые 30 секунд* формируется ток 4мА, впоследствии токовый сигнал управления по ПИД закону для фиксированной уставки давления воздуха.

Рисунок 15 Схема использования регулятора

Контрольно-вимірювальне обладнання | ProZorro

Порушення порядку визначення предмета закупівлі

Порушення законодавства в частині неправомірного обрання та застосування процедури закупівлі

Неоприлюднення або порушення строків оприлюднення інформації про закупівлі

Тендерна документація складена не у відповідності до вимог закону

Порушення законодавства в частині складання форм документів у сфері публічних закупівель

Не відхилення тендерних пропозицій, які підлягали відхиленню відповідно до закону

Порушення законодавства в частині не відміни замовником закупівлі

Укладення з учасником, який став переможцем процедури закупівлі, договору про закупівлю, умови якого не відповідають вимогам тендерної документації та/або тендерної пропозиції переможця процедури закупівлі

Внесення змін до істотних умов договору про закупівлю у випадках, не передбачених законом

Інші порушення законодавства у сфері закупівель

Несвоєчасне надання або ненадання замовником роз’яснень щодо змісту тендерної документації

Розмір забезпечення тендерної пропозиції, встановлений у тендерній документації, перевищує межі, визначені законом

Ненадання інформації, документів у випадках, передбачених законом

Порушення строків розгляду тендерної пропозиції

Придбання товарів, робіт і послуг до/без проведення процедур закупівель/спрощених закупівель відповідно до вимог закону

Застосування конкурентного діалогу або торгів з обмеженою участю, або переговорної процедури закупівлі на умовах, не передбачених законом

Відхилення тендерних пропозицій на підставах, не передбачених законом або не у відповідності до вимог закону (безпідставне відхилення)

Внесення недостовірних персональних даних до електронної системи закупівель та неоновлення у разі їх зміни

Порушення строків оприлюднення тендерної документації

Невиконання рішення Антимонопольного комітету України як органу оскарження за результатами розгляду скарг суб’єктів оскарження, подання яких передбачено законом

Укладення договорів, які передбачають оплату замовником товарів, робіт і послуг до/без проведення процедур закупівель/спрощених закупівель, визначених законом

Каталог запчастей Toshiba 1560

Каталог запчастей Toshiba 1560 — Панель управления

австралийских долларов тайваньских долларов австралийских долларов тайваньских долларов Арт. Деталь № Название детали КОЛ-ВО / Единица КОЛ-ВО В упаковке Замечания 1A 4400683610 F-COV-CONP-U 1 1 / PP ТАД 1Б 4400683610 F-COV-CONP-U 1 1 / PP CSD 1С 4400683620 F-COV-CONP-E 1 1 / PP EUD 1D 4400683620 F-COV-CONP-E 1 1 / PP MJD 1E 4400683620 F-COV-CONP-E 1 1 / PP МФД 1F 4400683620 F-COV-CONP-E 1 1 / PP UKD 1 г 4400683630 F-COV-CONP-AU 1 1 / PP 1H 4400683630 F-COV-CONP-AU 1 1 / PP 1I 4400683630 F-COV-CONP-AU 1 1 / PP SAD 1J 4400683630 F-COV-CONP-AU 1 1 / PP ASD 2 4400661900 K-STAY-CONPANE 1 1 / п. 3 4400662550 КРЫШКА-LED-L 6 1 / п. 4 4400661620 КРЫШКА-LED-OPT 5 1 / п. 5 4400683640 KEY-M-UP 1 1 / п. 6 4400683650 КЛЮЧ-М-ВНИЗ 1 1 / п. 7 4400662530 МАСШТАБИРОВАНИЕ КЛАВИШИ 1 1 / п. 8 4400662540 УМЕНЬШЕНИЕ КЛАВИШИ 1 1 / п. 9 4400661330 КЛЮЧ-ЦЕНТР 1 1 / п. 10 4400661630 КРЫШКА-LED-C 1 1 / п. 11 4400661390 КЛЮЧ-ДИСП 1 1 / п. 12 4400661610 КЛЮЧ-ПЕЧАТЬ 1 1 / Д 13 4400661600 KEY-CL 1 1 / Д 14 4400662590 KEY-TEN 1 1 / К 15 4400662580 КЛЮЧ-D / P-C-I / M 1 1 / п. 16 4400661640 КРЫШКА-СВЕТОДИОДНЫЙ КЛЮЧ 4 1 / п. 17 4400661380 КЕЙ-ЭКСПО 1 1 / К 18 4400662570 KEY-E / S-INT 1 1 / п. 19 4400662500 КЛЮЧ-ОПЦИЯ 2 1 / п. 20A 4400661360 ПАНЕЛЬ-ДСП-140У 1 1 / КП ТАД 20Б 4400661360 ПАНЕЛЬ-ДСП-140У 1 1 / КП CSD 20C 4400661370 ПАНЕЛЬ-DSP-140E 1 1 / КП EUD 20D 4400661370 ПАНЕЛЬ-DSP-140E 1 1 / КП MJD 20E 4400661370 ПАНЕЛЬ-DSP-140E 1 1 / КП МФД 20F 4400661370 ПАНЕЛЬ-DSP-140E 1 1 / КП UKD 20G 4400661350 ПАНЕЛЬ-ДСП-140АУ 1 1 / КП 20ч 4400661350 ПАНЕЛЬ-ДСП-140АУ 1 1 / КП 20I 4400661350 ПАНЕЛЬ-ДСП-140АУ 1 1 / КП SAD 20J 4400661350 ПАНЕЛЬ-ДСП-140АУ 1 1 / КП ASD 21 4400662660 ЛИСТ-ПНЛ-140 1 1 / КП 22 4400677000 PWA-F-PNL-140 1 1 / SB 23 4400678000 K-WH-PNLUNT-140 1 1 / п. 24 4400661950 ЛИСТ-КОНПАН 1 1 / КП 25 4400728110 КРЫШКА-PNL-MG 2 1 / п. 26 4400661940 BRKT-CONP-CTR 1 1 / п. 27 4400679470 CTR-E650B-140 1 1 / К 28 4400661670 MYLAR-PNL 1 5 / п 29 4400662640 УПЛОТНЕНИЕ-КЛЮЧ-4 1 5 / п 30 4400662650 УПЛОТНЕНИЕ-КЛЮЧ-8 1 5 / п 51 4842040370 TBID3006MSZN3L 3 50 / П 52 4842040495 ПТБР30 * 06МСЗН3А 14 50 / П 53 7043300613 BID30 * 06MSCR1AI 1 50 / П Каталог запчастей Toshiba 1560 — Панель управления

Sony Handycam DCR-TRV140E — видеокамера — Характеристики серии Digital8

Мин. Освещение

0 люкс

Режимы экспозиции

автомат руководство по эксплуатации, программа

Программы стрельбы

пляж и лыжи, пейзаж, ночной режим, портретный режим, спортивный режим, прожектор, закат и луна

Спецэффекты

Вспышка, Низкая выдержка (LSS), Ключ яркости, Монотонный, Мозаика Негативное искусство, Старый фильм, Пастель Сепия, Стройное, Соляризация, Еще, Потягиваться, Тащить

Баланс белого

автоматический

Максимальная скорость затвора

1/4000 с

Мин. Выдержка

1/3 секунды

Мин. Выдержка

1/3 секунды

Спецэффекты

Тем не менее, Соляризация, Сепия, Мозаика, Растяжка, След, Тонкий, Пастель, Монотонный, Старый фильм, Движение со вспышкой, Ключ яркости, Негативное искусство, Низкая выдержка (LSS)

Баланс белого

Автоматический

Программы стрельбы

Прожектор, закат и луна, пейзаж, портретный режим, пляж и лыжи, ночной режим, спортивный режим

Максимальная скорость затвора

1/4000 с

Режимы экспозиции

Программный, автоматический, ручной

Мин. Освещение

0 люкс

1409 205th Ave, Lakebay, WA 98349 | MLS # 505567

Элементы интерьера

• Элементы интерьера: керамическая плитка, ковровое покрытие от стены до стены, главная ванна, Dbl Pane / Storm Windw, столовая, французские двери, прогулка в кладовой, гардеробная
• Бытовая техника: Посудомоечная машина, плита / духовка
• Пол: керамическая плитка, ковер
• Включенная техника: посудомоечная машина, плита / плита

Парковка / гараж, информация о нескольких блоках, школа / район, коммунальные услуги

Внешние элементы

Налоги / сборы , Финансирование, Сведения о местонахождении, Информация о листинге

• Годовая сумма налога: 2183 долларов США
• Налоговый год: 2013

• Условия листинга: Cash Out, Обычный, FHA, Доступно частное финансирование, Кредит VA, Кредит USDA
• Финансирование покупателя: FHA

• Направления: Hwy 16, Purdy Exit, Cross Purdy Spit, следуйте по шоссе через Key Center to Home, Rt-Herron Rd, Lt Tiedman, Lt 10th, Rt 20 Пятый подписать.
• Координаты карты: J, 5
• Топография: уровень, частичный наклон

Информация об объекте / лоте

• кв. Ft. Закончено: 2004
• Код стиля: 11 — 1 1/2 История
• Тип недвижимости: Жилая
• Подтип собственности: Жилая
• Состояние собственности: Хорошее
• Имеет вид

• Характеристики сайта: Кабельное телевидение, Хозяйственные постройки, патио
• Зонирование Юрисдикция: округ
• Характеристики участка: асфальтированный, уединенный
• Единицы измерения площади: квадратные метры
• Площадь участка Акры: 2.5
• Единицы возвышения: Футы

Домашняя информация

• Жилая площадь: 2004
• Единицы жилой площади: Квадратные футы
• Расчетные квадратные метры: 2004
• Квадратные кадры MLS Источник: Realist / County Assessor
• Общая площадь: 2004
• Единицы площади застройки: квадратные футы
• Детали фундамента: литой бетон
• Тип конструкции: Дом
• Расположение входа: основное

Информация о сообществе

Информация об объекте недвижимости предоставлена ​​NWMLS при последнем включении в список в 2013 году.Эти данные могут не совпадать с общедоступными записями. Выучить больше.

Масса KNO, (e) Пробный номер, общий объем воды,

Текст расшифрованного изображения: Масса KNO, (e) Пробный номер, общий объем воды, мл 14 16,5 19 21,5 общий объем раствора. L 1.40E-02 1.70E-02 температура образования кристаллов, 69 56 48 40 определение K. 101,1 моль KNO, 0,0988 концентрация KNO 7.10E + 00 6.00E + 00 Kp 5.00E101 3.60E + 01 кристаллизация T, K 342,13 329,13 In (Ksp) 3,5833 3,58173972 AGJ / моль (из AGE-RTIn (K) 1 / T, наклон линии K, определенный построением In (K) в зависимости от 1 / T) AHJ / моль (наклон от / R) AS, Среднее значение Дж / К-моль (используйте AG — AH-TAS) для AS (используйте значение точки пересечения по оси Y) Предпосылки Три фундаментальные функции состояния в химии: изменение свободной энергии Гиббса, 4Gº; стандартная молярная энтропия Sº и стандартное изменение энтальпии AH ‘.Из них напомним, что изменение энтальпии — это тепловой поток для реакции или системы при постоянном давлении, и что стандартная молярная энтропия вещества является мерой его порядка (или беспорядка) относительно стандартной молярной энтропии идеального кристалла. в норме, которая, как мы знаем из третьего закона термодинамики, равна нулю при абсолютном нуле. Изменение энтропии для реакции можно определить, взяв сумму стандартных молярных энтопий реагентов и вычтя ее из суммы для продуктов.Кроме того, мы знаем, что согласно второму закону термодинамики, чтобы реакция происходила спонтанно, она должна сопровождаться изменением энтропии, которое увеличивает энтропию Вселенной. То есть, вселенная AS — окружение AS + система AS В этом эксперименте мы будем использовать насыщенный раствор нитрата калия, чтобы графически определить значения AH и AS для KNO3 (s) = K (водн.) + NO3- (водн.) Гиббс- Уравнение Гельмольца AG = AH — TAS Может быть скомбинировано с соотношением AG = -RTInksp Чтобы получить -RTlnK sp = AH — TAS Разделив на -RT и собрав члены, мы видим InKyp = -) () +65) Это приводит к линейному соотношение, где значение y равно In (Ksp), а значение x равно 1 / T в K.Наклон линии равен (-AH / R), а значение точки пересечения оси Y (AS / R). Внимание: KNO3 является раздражителем и сильным окислителем. Если что-либо из этого попало на вашу кожу, тщательно промойте водой с мылом. При работе с ним настоятельно рекомендуется надевать перчатки. Экспериментальная процедура 1. Соберите баню с горячей водой, как показано на рисунке 1. Наполните стакан на 400 мл водой наполовину и поддержите его кольцом и проволочной сеткой, чтобы она не опрокинулась. Начните нагревать водяную баню. 2.На весах взвесьте примерно 10 г нитрата калия на тарированном листе бумаги для взвешивания. Запишите точную использованную массу, так как она вам понадобится позже. Количественно перенесите твердое вещество в чистую пробирку размером 25 х 200 мм. 3. Используя градуированный цилиндр на 10 мл, добавьте в пробирку 7,5 мл деионизированной воды и нагрейте пробирку на водяной бане до полного растворения твердого вещества. Вы захотите перемешать твердое вещество проволочной мешалкой во время нагрева. 4. Как только все твердое вещество растворится, вам нужно будет определить объем раствора.Наполните другую пробирку того же размера водой до того же уровня, что и пробирка, содержащая ваш раствор KNO3. Налейте воду в мерный цилиндр и запишите ее точный объем. Это объем приготовленного вами раствора KNO3. 5. Выньте пробирку с раствором KNO3 из горячей водяной бани и дайте ей остыть на воздухе, медленно помешивая. 6. Запишите температуру, при которой появляются первые кристаллы. Вы можете использовать черный фон (лабораторный стол или другой черный объект), чтобы помочь в обнаружении образования кристаллов; KNO3 белый и лучше всего будет отображаться на черном фоне.Это температура, при которой образовался насыщенный раствор, и твердое вещество находится в равновесии с ионами. 7. Добавьте 2,5 мл деионизированной воды к раствору KNO3 и снова нагрейте до растворения всего твердого вещества. Используя тот же метод, который вы использовали на шаге 4 выше, определите объем раствора KNO3. 8. Снова удалите смесь и дайте ей остыть, медленно помешивая. Запишите температуру, при которой появляются первые кристаллы. 9. Повторите описанную выше процедуру (шаги 7–8) еще два раза, всего четыре измерения объема / температуры.Вылейте содержимое пробирки в емкость для воды с этикеткой. Мойте руки после работы с нитратом калия. В электронной таблице Excel (доступной в папке Lab на HuskyCT) введите используемую массу KNO3 и объем раствора для каждого испытания, а также температуру, при которой появляются первые кристаллы. Вам нужно будет заполнить электронную таблицу правильной функцией для каждого расчета. Например, чтобы преобразовать объем раствора в мл в л (ячейки C6 и C7 в электронной таблице), разделите значения в C6 на 1000 (то есть в ячейку C7 вставьте формулу = C6 / 1000).Сделайте то же самое для других вычислений, чтобы преобразовать в молярность, решить для Ksp, взять натуральный логарифм значения Ksp, преобразовать ° C в K и т. Д. Наконец, как только все данные будут вычислены, постройте график In (Ksp ) по сравнению с 1 / T. Вставьте линию тренда и запишите значения наклона и точки пересечения по оси Y, чтобы вычислить значения для AG и AH. Из них вы можете использовать уравнение Гиббса-Гельмгольца для расчета значений AS.

Предыдущий вопрос Следующий вопрос

Уменьшение U (VI) разнообразной внешней поверхности цитохромами c-типа Geobacter surreducens

Резюме

Ранние исследования с Geobacter surreducens показали, что цитохромы c -типа на внешней поверхности могут играть роль в Восстановление U (VI), но недавно было высказано предположение, что существует значительное снижение U (VI) на поверхности электропроводящих пилей, известных как микробные нанопроволоки.Это явление было дополнительно исследовано. Штамм G. Surreducens , известный как Aro-5, продуцирующий пили со значительно сниженной проводимостью, сниженным U (VI) почти так же хорошо, как и штамм дикого типа, как и штамм, в котором ген PilA, структурный белок пилина , был удален. Чтобы снизить скорость восстановления U (VI) до уровней менее 20% от показателей дикого типа, необходимо было удалить гены пяти наиболее распространенных цитохромов c -типа внешней поверхности G.Серафимовский . Спектроскопия структуры ближнего края рентгеновского поглощения показала, что, в то время как 83% ± 10% урана, связанного с клетками дикого типа, соответствуют U (IV) через 4 часа инкубации, с пятиместным мутантом 89% ± 10% урана был U (VI). Просвечивающая электронная микроскопия и рентгеновская энергодисперсионная спектроскопия показали, что клетки дикого типа не осаждают уран вдоль пилей, как сообщалось ранее, но U (IV) осаждается на внешней поверхности клетки. Эти результаты согласуются с результатами предыдущих исследований, в которых предполагалось, что G.Sulphurreducens требует наличия цитохромов c -типа внешней поверхности, но не пилей для восстановления растворимых внеклеточных акцепторов электронов.

ВВЕДЕНИЕ

Механизмы восстановления U (VI) у видов Geobacter представляют интерес, потому что осаждение U (VI) до U (IV) является многообещающей стратегией для in situ биоремедиации загрязненных ураном подземных вод , и Виды Geobacter часто преобладают в подземных средах, в которых восстановление U (VI) стимулируется добавлением органических доноров электронов (1, 2).Предположение о том, что электроны передаются непосредственно от проводящих пилей Geobacter surreducens к U (VI) (3, 4), контрастирует с выводом о том, что пили не требуются для восстановления других растворимых внеклеточных акцепторов электронов, таких как Fe (III ) цитрат или аналог гуминовых веществ антрахинон-2,6-дисульфонат (AQDS) (5, 6).

Пили необходимы для транспорта электронов на большие расстояния к нерастворимым акцепторам электронов у видов Geobacter , которые были исследованы на сегодняшний день.Это включает восстановление нерастворимых оксидов Fe (III) (5, 7) и обмен электронами между синтрофными партнерами (8, 9), а также электронную проводимость через токопродуцирующие биопленки (10–12). Это объясняется металлической проводимостью пилей (12, 13). Например, штамм G. Surreducens , обозначенный Aro-5, который был генетически модифицирован для образования пилей с пониженной проводимостью, не обладал способностью эффективно восстанавливать оксид Fe (III) и производить ток (13).Помимо пилей, для восстановления оксида Fe (III), для соединения G. Surreducens требуется мультигемовый цитохром c -типа, OmcS (14). OmcS специфически локализуется на пили (15). Таким образом, простейшей моделью для последних стадий восстановления оксида Fe (III) является транспорт электронов к OmcS через пили, при этом OmcS способствует переносу электронов от пилей к оксиду Fe (III) (16, 17). Аналогичным образом сети пилей способствуют переносу электронов на большие расстояния через проводящие биопленки G.Sulphurreducens , но для обеспечения переноса электронов от биопленки к электродам требуется один или несколько мультигемных цитохромов (11, 18, 19).

Исследования делеции гена показали, что в отличие от потребности в OmcS для восстановления оксида Fe (III), OmcS не является существенным для восстановления цитрата Fe (III) или AQDS (6, 14), что согласуется со способностью пилуса -дефицитная деформация для восстановления этих акцепторов электронов (5, 6). Чтобы значительно снизить способность к восстановлению AQDS, необходимо было удалить гены пяти цитохромов типа c внешней поверхности в одном штамме (6).К ним относятся OmcS и гомолог OmcS OmcT, а также OmcE, OmcZ и OmcB. Исследования иммуномечения продемонстрировали, что OmcB встроен во внешнюю мембрану G. Surreducens , при этом часть молекулы подвергается воздействию внеклеточной среды (20), тогда как OmcZ (19) и OmcE (14) локализуются во внеклеточном матриксе. . Необходимость удаления всех этих цитохромов свидетельствует о том, что восстановление AQDS является довольно неспецифическим. Хотя удаление только OmcB значительно устраняет способность восстанавливать цитрат Fe (III) (21), мутант с дефицитом OmcB со временем адаптировался к снижению цитрата Fe (III) в отсутствие OmcB с повышенной экспрессией других цитохромов внешней поверхности ( 22).

Разнообразие цитохромов типа c может снижать U (VI) in vitro (18, 23-25). Кроме того, цитохромы типа c необходимы для восстановления U (VI) в Shewanella oneidensis , которая накапливает наночастицы урана в ассоциации с цитохромами внешней мембраны (25). Предыдущие исследования также предположили, что цитохромы c -типа, экспонированные на внешней поверхности G. surreducens , участвуют в восстановлении U (VI) (26).Важной линией доказательств потенциально важной роли пилей в снижении U (VI) было открытие, что мутант с дефицитом pilA снижал U (VI) со скоростью ок. одна треть скорости, с которой дикий тип снижает U (VI) (3). Однако мутант с дефицитом pilA также оказался дефектным в продукции цитохромов c -типа внешней поверхности (3), что затрудняет интерпретацию результатов. Эти соображения и недавняя доступность штамма Aro-5 привели нас к дальнейшему исследованию гипотезы о том, что пили являются основным каналом для переноса электронов к U (VI) к г.Серафимовский .

МАТЕРИАЛЫ И МЕТОДЫ

Штаммы бактерий, условия культивирования и суспензии клеток.

Все штаммы (см. Таблицу S1 в дополнительном материале) были получены из нашей лабораторной коллекции и обычно культивировались в анаэробных условиях в среде с 10 мМ ацетатом в качестве донора электронов и 20 мМ фумаратом в качестве акцептора электронов, как описано ранее (26).

Суспензии покоящихся клеток готовили, как описано ранее (26). Вкратце, клетки собирали в поздней экспоненциальной фазе с оптической плотностью 0.От 25 до 0,28, промывали буфером и ресуспендировали в буфере, содержащем NaHCO ₃ (2,5 г литр ^-1 ), NH ₄ Cl (0,25 г литр ¹ ), NaH ₂ PO ₄ · H ₂ O (0,006 г литр ^-1 ) и KCl (0,1 г литр ^-1 ) с оптической плотностью при 600 нм (OD ₆₀₀ ) от 0,075 до 0,08. Ацетат (5 мМ) и уранилацетат (1 мМ) добавляли в качестве донора и акцептора электронов соответственно. Убитые нагреванием контроли получали автоклавированием суспензии клеток в течение 30 мин перед добавлением U (VI).Суспензии клеток инкубировали при 30 ° C.

Способность клеток снижать U (VI) отслеживали по потере U (VI) с течением времени, как описано ранее (26). Вкратце, образцы клеточных суспензий (100 мкл) отбирали с 1-часовыми интервалами и разбавляли 14,9 мл бескислородного 100 мМ бикарбоната и 14,9 мл бескислородного рабочего раствора Uraplex. Концентрации U (VI) определяли количественно с использованием анализатора кинетической фосфоресценции (KPA) (Chemcheck Corp., Richland, WA), и скорость ферментативного восстановления U (VI) в течение 4 часов рассчитывали, как описано ранее (26).

ТЕМ.

Для контрольного обследования придатков клеток клетки собирали центрифугированием в середине логарифмической фазы и получали, как описано ранее (26). Образцы помещали на покрытые углеродом медные сетки размером 400 меш, инкубировали в течение 5 минут и затем окрашивали 2% уранилацетатом. Придатки клеток наблюдали с помощью просвечивающего электронного микроскопа Jeol 100 (ТЕМ) при ускоряющем напряжении 80 кВ. Изображения были получены в цифровом виде с помощью программного обеспечения MaxIm-DL и проанализированы с помощью программного обеспечения ImageJ (http: // rsbweb.nih.gov/ij/index.html).

Для крио-ТЕМ аликвоты по 5 мкл культуры помещали на сеточки из углеродного волокна (Ted Pella 01881; Ted Pella Inc., Реддинг, Калифорния), которые предварительно обрабатывали тлеющим разрядом. Опора Formvar не была снята с карбона. Сетки вручную промокали фильтровальной бумагой, мгновенно замораживали с помощью переносного криопоглотителя (27) и хранили в жидком азоте.

Для образцов, высушенных на воздухе, аликвоты по 5 мкл (каждая) были помещены на сплошные покрытые углеродом предварительно обработанные сетки Formvar TEM) (Ted Pella 01753; Ted Pella Inc., Redding, CA) тлеющим разрядом. Их промокали после уравновешивания в течение 2 минут. Криосетки сушили вымораживанием после получения изображений с помощью крио-ТЕМ. Образцы крио-ТЕМ, высушенные на воздухе и высушенные вымораживанием, использовали для анализа рентгеновской энергодисперсионной спектроскопии (XEDS), как описано ниже.

Крио-ТЕМ-изображения были получены на электронном микроскопе Jeol 3100-FFC, оборудованном источником электронов с автоэмиссионной пушкой (FEG), работающим при 300 кВ, энергетическим фильтром Omega, стадией криопереноса и Gatan 795 4000 (4K) × Камера с зарядовой связью (ПЗС) 4K, установленная на выходе из замедлителя электронов, поддерживается постоянным напряжением 200 кВ (28).Во время сбора всех наборов данных столик охлаждали жидким азотом до 80 К. Для получения статистически значимого обзора было записано более 100 изображений с использованием увеличения × 112K, × 70K или × 42 на ПЗС-матрице, что дает размер пикселя 0,14 нм, 0,21 нм или 0,375 нм на образце, соответственно. . Значения недостаточной фокусировки находились в диапазоне от 2 мкм ± 0,5 мкм до 12 мкм ± 0,5 мкм, а ширина энергетического фильтра обычно составляла около 28 эВ ± 2 эВ. Обследование сеток и выбор подходящих целей для получения серии наклона проводились в режиме дифракции с малой дозой посредством получения десятков изображений.

Были получены два набора томографических данных Δ pilA . Томографические серии наклона были получены в условиях малых доз в диапазоне углов от + 62 ° до -62 °, ± 2 ° с шагом 2 °. Шестьдесят и шестьдесят три изображения были записаны для этих серий наклона, полученных полуавтоматически с помощью программы Serial-EM (http://bio3d.colorado.edu/), адаптированной для микроскопов Jeol. Для этих наборов данных серии наклона изображения были записаны с использованием номинального увеличения × 15K, что привело к × 42K на ПЗС-матрице и размеру пикселя 0.375 нм у образца. Значение недостаточной фокусировки было установлено на 12 мкм ± 0,5 мкм, а ширина энергетического фильтра была установлена ​​на 28 эВ. Максимальная доза, используемая для полной серии наклона, составляла приблизительно 140 e ^— / Å ² .

Рентгеновский ЭЦП.

Химические анализы клеточных мембран высушенных на воздухе образцов с высоким пространственным разрешением на непрерывных просвечиваемых углеродом решетках ПЭМ Formvar и лиофилизированных крио-ПЭМ образцов проводили в автоэмиссионном аналитическом ПЭМ Jeol 2100-F 200 кВ. оборудована системой обнаружения рентгеновских лучей Оксфордской энергодисперсионной спектроскопии инков (EDS) в Molecular Foundry Национальной лаборатории Лоуренса Беркли.Изображения, полученные с помощью сканирующей просвечивающей электронной микроскопии (STEM) с помощью высокоугловой годовой темнопольной микроскопии (HAADF) и сканирование линий элементарных рентгеновских лучей, получали с помощью зонда с длиной волны 1 нм при 120 или 200 кВ. Образцы были наклонены на 10 градусов к детектору рентгеновского излучения для оптимизации геометрии детектирования рентгеновского излучения. Время сбора составляло 300 живых секунд для каждого строчного сканирования. Сканирование линии EDS на высококонтрастных областях внешней мембраны ясно демонстрирует локализованный уран в этой мембране, ответственный за повышенный контраст на изображениях STEM HAADF.

Программное обеспечение.

Все томографические реконструкции выполнены с помощью программы Imod (http://bio3d.colorado.edu/) (29). Программа ImageJ (NIH; http://rsb.info.nih.gov/ij/) использовалась для анализа проекций двумерных (2D) изображений. Объемный рендеринг и анализ изображений томографических реконструкций выполнялись с использованием программы с открытым исходным кодом ParaView (http://www.paraview.org/), а фильмы создавались с использованием пакета с открытым исходным кодом ffmpeg (http://www.ffmpeg.org/). ). Внутренние мембраны 2 клеток каждого вида сегментировали вручную с помощью программы Imod.

Анализ XANES.

Степень окисления урана в образцах клеточной суспензии определялась спектроскопическим методом рентгеновской абсорбции вблизи края структуры (XANES). Осадки клеток из клеточных суспензий мгновенно замораживали в жидком азоте и отправляли на лед. Образцы загружали в алюминиевый держатель образцов с каптоновыми окнами в анаэробной камере (от 2 до 5% водорода, остаточный азот) в Стэнфордском источнике синхротронного излучения (SSRL) (Национальная ускорительная лаборатория SLAC, Менло-Парк, Калифорния).Непосредственно перед анализом сборку образцов помещали в криостат с жидким азотом, помещали под вакуум и замораживали. Спектры пропускания по краю U L _III были собраны на канале 4-1 SSRL с использованием двухкристального монохроматора Si (220), отстроенного для подавления более высокой интенсивности гармоник. Вертикальные щели в экспериментальной клетке были установлены на 0,5 мм во время измерения, чтобы гарантировать, что разрешение спектрометра было ниже, чем у внутреннего ограничения срока службы керна. Калибровка энергии контролировалась непрерывно, дрейфа не обнаружено.Из спектров XANES вычитали фон и анализировали с помощью программы ATHENA (30).

qRT-PCR.

Тотальную РНК экстрагировали с использованием мини-набора RNeasy (Qiagen) из культур ацетат-фумарата со средним логарифмическим значением. кДНК генерировали с использованием набора для синтеза Enhanced Avian First Strand (Sigma-Aldrich, Сент-Луис, Миссури, США) с использованием случайных праймеров в соответствии с рекомендациями производителя. Мастер-микс SYBR green PCR (Applied Biosystems, Foster City, CA) и система ПЦР в реальном времени ABI 7500 были использованы для амплификации и количественного определения продуктов ПЦР из pilA с парой праймеров RT_ORF02545_F и RT_ORF02545_R (11).Экспрессия этого гена была нормализована с экспрессией proC , конститутивно экспрессируемого гена в G. surreducens , с использованием пары праймеров proC2F и proC77R. Относительные уровни экспрессии исследуемых генов рассчитывали методом 2-ΔΔ C _T (31).

РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

Восстановление U (VI) генетически модифицированными штаммами.

Штамм Aro-5, который продуцирует пили с пониженной проводимостью, но при этом должным образом локализует внешнюю поверхность цитохромов типа c (13), снижает уровень U (VI) со скоростью, которая лишь немного ниже, чем у диких животных, и незначительно отличается от них. ставка 0.23 мкМ U (VI) мг ^-1 мин ^-1 (). Этот результат показал, что электронная проводимость вдоль пилей не является важным требованием для восстановления U (VI).

U (VI) -редуцирующая активность штаммов дикого типа (wt) и мутантных штаммов G. surreducens . Данные представляют собой средние значения ± стандартное отклонение (SD) для трех повторов.

При дальнейших исследованиях мы не смогли повторить ранее опубликованные результаты (3) о том, что мутант с дефицитом pilA имел существенно более низкие скорости восстановления U (VI), чем клетки дикого типа или клетки, прерастущие при 25 ° C, температуре предложили увеличить выработку пилуса (3), значительно увеличили сокращение U (VI) ().

Предыдущие исследования механизмов восстановления антрахинон-2,6-дисульфоната (AQDS), другого растворимого внеклеточного акцептора электронов, продемонстрировали, что делеция генов множественных цитохромов типа c на внешней поверхности была необходима для того, чтобы существенно снизить темпы снижения AQDS (6). Аналогичным образом, делеция гена внешней поверхности цитохрома c -типа OmcB или OmcE только частично снижала скорость восстановления U (VI) (26). Четверной мутант, дефицитный не только по OmcB и OmcE, но и по цитохромам внешней поверхности OmcS и OmcT, по-прежнему снижал U (VI) со скоростью 40% от таковой дикого типа ().Пятиместный мутант, в котором omcZ был удален вместе с omcB , omcE , omS и omcT (ΔBESTZ) снижал U (VI) только со скоростью 19% от показателя дикого типа (). Это не могло быть объяснено исключительно потерей OmcZ, потому что штамм, в котором было удалено только omcZ , снижал U (VI) примерно со скоростью, равной примерно . 50% от дикого типа ().

Более низкие скорости восстановления U (VI) у пятиместного мутанта нельзя отнести к влиянию на продукцию ворсинок.Обилие транскриптов pilA по сравнению с геном домашнего хозяйства proC было в 3,5 раза (± 0,76 раза) выше у пятиместного мутанта, чем в клетках дикого типа, а трансмиссионная электронная микроскопия выявила экспрессию пилей в пятерном мутанте и дикого типа, но не в мутанте с дефицитом pilA (см. также фиг. S1 в дополнительном материале).

ТЕМ-изображения, показывающие уровни продукции филаментов у дикого типа (слева), мутанта ΔBESTZ (в центре) и мутанта Δ pilA (справа).

Видовая идентификация и локализация урана.

Анализ осадка клеток от инкубации клеточной суспензии с помощью спектроскопии ближней структуры рентгеновского поглощения (XANES) показал, что через 4 часа 83% ± 10% урана, связанного с клетками дикого типа, было U (IV), с остатком в степени окисления U (VI) (). Процент U (IV) был немного ниже для мутанта pilA (63% ± 10%), но разница не была значимой. Напротив, 89% ± 10% урана присутствовало в виде U (VI) в пятерном мутанте ().

(A) XANES-спектры урана с LIII-краем урана, ассоциированного с 3 штаммами G. surreducens (кружки) и их соответствующие совпадения (линии). (B) Пропорции урана в различных степенях окисления: U (IV) (серые столбцы) и U (VI) (белые столбцы) после 4-часового суспендирования клеток.

В отличие от предыдущих сообщений (3), преципитаты U (IV), связанные с пилями клеток дикого типа, не наблюдались (). Наблюдалось электронно-плотное накопление на внешней мембране как дикого типа, так и мутанта pilA , что, как подтвердила рентгеновская энергодисперсионная спектроскопия (XEDS), было ураном (см. Также рис.S2 в дополнительном материале). Эти осадки не были обнаружены в суспензиях клеток, содержащих фумарат, а не U (VI) в качестве акцептора электронов (). На внешней поверхности пятиместного мутанта накопилось очень мало урана, что согласуется с низкими уровнями восстановления U (VI).

Крио-ТЕМ изображения восстанавливающего фумарата дикого типа (A) и дикого типа (B), мутанта Δ pilA (C) и мутанта ΔBESTZ (D), восстанавливающего U (VI). (A) Клеточная стенка Geobacter , дышащая фумаратом, типична для грамотрицательных бактерий с прозрачной внутренней и внешней мембраной и прозрачным периплазматическим пространством.(B и C) Клеточные стенки дикого типа и мутанта Δ pilA покрыты неправильными участками высококонтрастного (электронно-плотного) материала, в основном на внешней мембране. (D) Клеточная стенка мутанта ΔBESTZ, дышащего U (VI), по-видимому, содержит значительно меньше высококонтрастного агрегированного материала и ближе к стенке дышащего фумарата дикого типа. Иногда наблюдаются нерегулярные пятна агрегатов, как видно на вставке. Масштабная шкала 250 нм.

XEDS дикого типа (A и B), мутант Δ pilA (B) или мутант ΔBESTZ (C), дышащий U (VI).Показаны высокоугловые кольцевые темнопольные STEM-изображения областей лиофилизированных крио-TEM сеток. Узор «паутины», поддерживающий клетки, — это кружевная углеродная опора. Рассеяние от металлических агрегатов и золотых бусинок выглядит очень ярким. Красная и синяя линии обозначают линию, просканированную датчиком. Масштабная шкала 500 нм. На боковых панелях показаны рентгеновские снимки основных элементов вдоль линии сканирования. Единицы линейного сканирования — нанометры по оси x и количество рентгеновских лучей по оси y .Для O (кислород), P (фосфор) и Al (алюминий) это количество отсчетов рентгеновских лучей в их пиках K альфа, а для U — количество отсчетов в пике L альфа. Количество урана значительно превышает фоновый уровень.

Последствия.

Результаты свидетельствуют о том, что G. Surreducens снижает U (VI) так же, как он снижает AQDS, другой растворимый внеклеточный акцептор электронов. Ряд цитохромов c -типа внешней поверхности, по-видимому, вносят вклад в восстановление U (VI).Это аналогично результатам для Shewanella oneidensis (25). Предыдущие результаты продемонстрировали, что цитохромов типа c G. surreducens, включая OmcS и OmcZ, снижают уровень U (VI) in vitro (18, 23). Электронная проводимость на большие расстояния через пили не является необходимой для восстановления других растворимых акцепторов электронов с помощью G. Surreducens (5), а также не считается необходимой для восстановления U (VI).

БЛАГОДАРНОСТИ

Благодарим С.Дар, М. Барлетт и П. Тремблей за полезное обсуждение.

Это исследование было поддержано Управлением науки (Управление биологических и экологических исследований) Министерства энергетики США, номер награды DE-SC0004114. Р.О. был поддержан стипендией Фулбрайта-КОНИЦИТ 2008 по обеспечению равных возможностей. Работа L.R.C. и R.C. была поддержана директором Управления науки Управления биологических и экологических исследований Министерства энергетики США по контракту № DE-AC02-05Ch21231.Работа в Molecular Foundry (анализ EDS) была поддержана Управлением науки Управления фундаментальных энергетических наук Министерства энергетики США в соответствии с контрактом № DE-AC02-05Ch21231. SLAC SFA (штат Нью-Джерси) финансировался Управлением науки Министерства энергетики США (DOE-SC), Управлением биологических и экологических исследований (BER), рабочий пакет номер 10094. SSRL — это пользовательский объект USDOE, управляемый Стэнфордским университетом. Программа SSRL по структурной молекулярной биологии поддерживается DOE-SC-BER и Институтом общих медицинских наук NIH (включая P41GM103393) и Национальным центром исследовательских ресурсов (P41RR001209).

Мы несем полную ответственность за содержание данной публикации, которое не обязательно отражает официальную точку зрения NIGMS, NCRR или NIH. Любое использование торговых наименований, названий продуктов или фирм только в описательных целях и не подразумевает одобрения со стороны правительства США.

Публикации

ПУБЛИКАЦИИ И ПАТЕНТЫ:

Статьи в рецензируемых журналах: (# указывает корреспондента)

2017 г.

— Обновлено в феврале 2017 г.

176. Б. Ли, Х. Стоу, К. Х. Ли, Н.Х. Хур, С.-Дж. Хван, Э. Пэк и Г.С. Хванг, «Понимание механизмов захвата CO2 в водном гидразине с помощью комбинированных исследований ЯМР и первых принципов», (2017).

175. М. Ван, Г. Хартманн, З. Ву, Л. Скарабелли, Б. Бангалор Раджеева, Л. Лиз-Марзан, Г. С. Хванг и Ю. Чжэн, «Управление плазмонно-усиленной флуоресценцией через межсистемное пересечение в Photoswitchable Molecules, отправлено (2017 г.).

174. Х. Стоу и Г.С. Хванг, «Фундаментальное понимание улавливания и регенерации СО2 в водных аминах на основе исследований основных принципов: недавний прогресс и оставшиеся проблемы», представлено (2017).

173. D.E. Бост, Х.-В. Ким, С.-Й. Chou, G.S. Hwang и J.G. Экердт, «Предсказание из первых принципов аморфных стеклообразных структур рутений-фосфор и рутений-бор и химическое осаждение из газовой фазы тонких пленок аморфного сплава рутений-бор», Thin Solid Films 622, 56-64 (2017).[PDF]

2016

172. A.J. Пак и Г.С. Хванг #, «Молекулярное понимание сложной взаимосвязи между емкостью и морфологией пор в нанопористых углеродных суперконденсаторах», ACS Appl. Матер. Интерфейсы 8, 34659-34667 (2016). [PDF]

171. W. Wei, L. Chang, K. Sun, A.J. Пак, Э.Paek, G.S. Hwang и Y.H. Ху, «Светлое будущее электродных материалов для энергетических устройств: высокопроводящий пористый углерод, внедренный Na», Nano Lett. 16, 8029-8033 (2016). [PDF]

170. A.J. Pak, и G.S. Hwang #, «Зависимость миграции и стагнации ионов от скорости зарядки в углеродных нанопорах, заполненных ионной жидкостью», J. Phys. Chem. С 120, 24560-24567 (2016). [PDF]

169. M.J Boyer, L. Vilciauskas и G.S. Hwang #, «Структура и перенос ионов Li + в смешанном электролите карбонат / LiPF6 вблизи поверхностей графитовых электродов: исследование молекулярной динамики», Phys. Chem. Chem. Phys. 18, 27868-27876 (2016). [PDF]

168. A.J. Пак и Г.С. Хванг #, «Теоретический анализ переноса тепла в графене, нанесенном на гексагональный нитрид бора: важность сильной адгезии из-за поляризации пи-связи», Phys.Rev. Applied 6, 034015 / 1-9 (2016). [PDF]

167. M. Boyer и G.S. Hwang #, «Последние достижения в моделировании первых принципов анодных материалов и интерфейсов для литий-ионных батарей», Curr. Opin. Chem. Англ. 13, 75-81 (2016). [PDF]

166. H. Stowe, E. Paek и G.S. Hwang #, «Первые принципы оценки механизмов захвата CO2 в водном растворе пиперазина», Phys.Chem. Chem. Phys. 18, 25296-25307 (2016). [PDF]

165. Y.J. Lee, A.J. Pak, и G.S. Hwang #, «Каков предел теплопроводности кремний-германиевых сплавов», Phys. Chem. Chem. Phys. 18, 19544-19548 (2016). [PDF]

164. A.J. Пак и Г.С. Хван #, «О важности регулирования гидроксильного покрытия на базальной плоскости оксида графена для суперконденсаторов», ChemElectroChem 3, 741-748 (2016).[PDF]

163. Г. Чжоу, Э. Пэк, GS Хван , и А. Мантирам, «Высокоэффективные литий-серные батареи с автономными 3-D Li2S-легированными графеновыми аэрогелевыми катодами», Adv. Energy Mater. 6, 1501355 (2016). [PDF]

162. H.-C. Ham, G.S. Hwang #, J. Han, S.-P. Юн, С. В. Нам и Т. Х. Лим, «Важность пар мономеров Pd в повышении активности реакции восстановления кислорода на поверхности AuPd (100): исследование первых принципов», Catal.Сегодня 263, 11-15 (2016).

2015 г.

161. H. Stowe, L. Vilciauskas, E. Paek и GS Hwang #, «О происхождении предпочтительного образования бикарбоната в результате улавливания CO2 в водном 2-амино-2-метил-1-пропаноле (AMP). , ” Phys. Chem. Chem. Phys. 17, 29184-29192 (2015). [PDF]

160. Д. Ву, А.J. Pak, Y. Liu, Y. Zhou, X. Wu, Y. Zhu, M. Lin, Y. Han, Y. Ren, H. Peng, Y.-H. Tsai, G.S. Hwang и K. Lai, «Зависящая от толщины диэлектрическая проницаемость многослойных наночастиц In2Se3», Nano Lett. 15, 8136-8140 (2015). [PDF]

159. C.-Y. Чоу, Ж.-Х. Seo, Y.-H. Цай, Ж.-П. Ан, Э. Пэк, М.-Х. Чо, И.-С. Choi # и G.S. Hwang #, «Аномальное поэтапное литиирование покрытых золотом кремниевых нанопроволок: комбинированное исследование характеристик на месте и исследование первых принципов», ACS Appl.Матер. Интерфейсы 7, 16976-16983 (2015). [PDF]

158. Y.J. Lee, A.J. Пак, Э. Пэк и Г.С. Хванг #, «Основная роль распределения контактных сил в определении теплопроводности графена на носителе», Phys. Ред. Заявлено 4, 014006 / 1-6 (2015). [PDF]

157. Г. Чжоу, Э. Пэк, Г. С. Хван и А. Мантирам, «Долговечные литий-полимерные / полисульфидные батареи с высоким содержанием серы, обеспечиваемые легкой трехмерной графеновой губкой, легированной азотом и серой», Nature Commun. 6, 7760 / 1-11 (2015). [PDF]

156. C.-Y. Чоу, М. Ли, и Г.С. Хван #, «Сравнительное исследование первых принципов натриевого соединения кремния, германия и олова для натрий-ионных батарей», J. Phys. Chem. С 119, 14843-14850 (2015). [PDF]

155. H.-C. Хэм, Д. Маногаран, Г.С. Хван #, Дж. Хан, Х.Дж. Ким, С.В. Нам и Т.Х. Лим, «Роль различных ансамблей Pd / Pt в определении хемосорбции CO на биметаллических сплавах на основе Au: исследование первых принципов», Прил.Серфинг. Sci. 332, 409-418 (2015).

154. J.-H. Seo, C.-Y. Чжоу, Ю.-Х. Цай, Ю. Чо, Т.-Й. Сун, М.-Х. Чо, Ж.-П. Ан, Г.С. Хван # и И.-С. Чой #, «Сверхбыстрое химическое литирование кремниевых нанопроволок: определение характеристик на месте и моделирование из первых принципов», R. Soc. Chem. (RSC) Adv. , 5, 17438-17443 (2015). [PDF]

153. Э. Пэк, А.Дж. Пак, и г.С. Хванг #, «О влиянии эффектов поляризации на предсказание межфазной микроструктуры и емкости графеноподобных электродов в ионных жидкостях», J. Chem. Phys. 142, 024701 / 1-6 (2015). [PDF]

152. J.-G. Ченг, К. Квеон, Ж.-С. Чжоу #, С.А. Ларрегола, Ян Дин, М.Р. Сухомель, К. Мацубаяси, Ю. Уватоко, GS Hwang # и Дж. Б. Гуденаф #, «Диспропорционирование заряда и индуцированный давлением переход изолятор-металл в кубическом перовските PbCrO3», Proc.Natl. Акад. Sci. (PNAS) 112, 1670-1674 (2015). [PDF]

151. G.S. Hwang #, H. Stowe, E. Paek и D. Manogaran, «Механизмы реакции водного моноэтаноламина с диоксидом углерода: комбинированное исследование квантовой химии и молекулярной динамики», Phys. Chem. Chem. Phys. 17, 831-839 (2015) (Обложка) [PDF]

150. K.E. Kweon, G.S. Hwang #, Jinhan Kim, Sungjin Kim и Seongmin Kim, «Малые поляроны электронов и их перенос в ванадате висмута: исследование первых принципов», Phys. Chem. Chem. Phys. 17, 256-260 (2015). [PDF]

2014 г.

149. P.L.G. Венцек #, К. Квеон, Х. Уэда, М. Ока, Ю. Сугимото и Г.С. Хванг #, «Образование, природа и стабильность сплава мышьяк-кремний-кислород для плазменного легирования неплоских кремниевых структур», Appl. Phys. Lett. 105, 262102 / 1-5 (2014). [PDF]

148. С.-Y. Chou и GS Hwang #, «О происхождении анизотропного литирования в кристаллическом кремнии над германием: исследование первых принципов», Appl. Surf. Sci. 323, 78-81 (2014). [PDF]

147. K. E. Kweon, D. Manogaran и GS Hwang #, «Синергетическая роль фотогенерированных электронов и дырок в окислении CO до CO2 на восстановленном TiO2 (110): исследование первых принципов», ACS Catal. 4 , 4051-4056 (2014).[PDF]

146. A.J. Pak , E. Paek и G.S. Hwang #, «Влияние краев графена на улучшение характеристик электрохимических конденсаторов с двойным слоем», J. Phys. Chem. C 118, 21770-21777 (2014). [PDF]

145. E. Paek, A.J. Pak, и G.S. Hwang #, «Большое увеличение емкости, вызванное легированием металлов в суперконденсаторах на основе графена: оценка, основанная на первых принципах», ACS Appl.Матер. Интерфейсы 6, 12168-12176 (2014). [PDF]

144. C.Y. Чоу и Г.С. Хван #, «О происхождении значительных различий в поведении лития кремния и германия», J. Power Sources 263 C, 252-258 (2014). [PDF]

143. Д. Ядав, Р. Бхаргава, Г.С. Агравал, Г.С. Хванг , Дж. Ли и М.К. Ким, «Магнитоконвекция во вращающемся слое наножидкости», Asia-Pac.J. Chem. Англ. 9, 633-677 (2014).

142.A.J. Пак, Э. Пэк и Г.С. Хванг #, «Настройка производительности суперконденсаторов на основе графена с использованием топологических дефектов: теоретическая оценка», Carbon 68, 734-741 (2014). [PDF]

2013

141.H.-C. Хам, Д. Маногаран, К. Ли, К. Квон, С.-А. Джин, Д.Дж. Ю, К. Пак и Г.С. Хванг #, «Сообщение: усиленная реакция восстановления кислорода и ее основной механизм в триметаллических сплавах Pd-Ir-Co», J.Chem. Phys. 139, 201104 / 1-4 (2013). [PDF]

140.E. Пэк, А.Дж. Pak, и G.S. Hwang #, «Влияние кривизны на межфазную емкость углеродных нанотрубок в ионной жидкости», J. Phys. Chem. С 117, 23539-23546 (2013). [PDF]

139.Y. Ли и Г.С. Хван #, «Эффекты микросегрегации на теплопроводности кремний-германиевых сплавов», J. Appl. Phys. 114, 174910 (2013). [PDF]

138.J.-G. Ченг, К. Квеон, Ж.-С. Чжоу #, Дж. Алонсо, П. Kong, Y. Liu, C.-Q. Джин, Дж. Дж. Wu, J.F. Lin, S.A. Larregola, W.-G. Ян, Г. Шен, А. Макдональд, А. Мантирам, G.S. Hwang #, и Дж. Б. Гуденаф #, «Аномальный перовскит PbRuO3, стабилизированный под высоким давлением», Proc. Natl. Акад. Sci. (PNAS) 110, 20003-20007 (2013). [PDF]

137.A.J. Пак, Э. Пэк и Г.S. Hwang #, «Относительные вклады квантовой емкости и емкости двойного слоя в характеристики суперконденсатора углеродных нанотрубок в ионной жидкости», Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 19741-19747 (2013). [PDF]

136.J.A. Stephens и G.S. Hwang # , «Влияние деформации на совокупность групп в поверхностных сплавах AuPd / Pd (100)», J. Chem. Phys. 139, 164703 / 1-6 (2013). [PDF]

135.K.E. Kweon и G.S. Hwang #, «Структура поверхности и локализация дырок в ванадате висмута: исследование первых принципов», Appl. Phys. Lett. 103, 131603 / 1-4 (2013). [PDF]

134.П. Абель, Ю.-Л. Lin, T. de Souza, C.-Y. Чоу, А. Гупта, Дж. Гуденаф, G.S. Hwang , А. Хеллер и К. Б. Маллинз #, «Тонкие пленки наноколоночного германия как высокопроизводительный анодный материал натрий-ионной батареи», J. Phys. Chem. С. 117, 18885-18890 (2013). [PDF]

133.Ю.-Х. Цай, Ч.-Й. Чжоу, К. Квеон, С.-У. Парк, К.-Х. Песня, К.-К. Back, и G.S. Hwang #, «Первые принципы прогнозирования образования и свойств фосфата железа с дефицитом полианиона», ECS Electrochem. Lett. 2, A111-A113 (2013). [PDF]

132.C.Y. Chou и G.S. Hwang #, «Поведение литирования богатого кремнием оксида (SiO1 / 3): исследование первых принципов», Chem. Матер. 25, 3435-3440 (2013). [PDF]

131.C.Y. Чоу и Г.С. Хван #, «Роль границы раздела в литиировании композитов кремний-графен: исследование первых принципов», J. Phys. Chem. С. 117, 9598-9604 (2013). [PDF]

130.K.E. Kweon и G.S. Hwang #, «Структурная фазовая локализация дырок и транспорт в ванадате висмута», Phys. Ред. B. 87, 205202 / 1-6 (2013). [PDF]

129.D. Маногаран и г.S. Hwang # , «Роль взаимодействия между поверхностью и подповерхностными слоями в усилении реакции восстановления кислорода в сплавах Pd3Co», Phys. Chem. Chem. Phys. 15 (29), 12118-12123 (2013). [PDF]

128.T.S. Чо и Г.С. Хванг , «О природе различных граней роста на границе раздела нанопроволок, катализируемых золотом, и кремния», J. NanoSci. Nanotechnol. 13, 3480-3482 (2013).

127.М. Пан, А.Дж. Кисть, З.Д.Позун, Х.-К. Хэм, W.-Y. Ю., Г. Хенкельман, G.S. Hwang и C.B. Mullins #, «Модельные исследования гетерогенных реакций каталитического гидрирования с золотом», Chem. Soc. Ред. 42, 5002-5013 (2013). [PDF]

126.E. Paek и G.S. Hwang #, «Вычислительный анализ адгезии графена на аморфном диоксиде кремния», J. Appl. Phys. 113, 164901 / 1-7 (2013). [PDF]

125.E. Пэк, А.Дж. Пак, К.E. Kweon и G.S. Hwang #, «О происхождении улучшенных характеристик суперконденсатора легированного азотом графена», J. Phys. Chem. С 117, 5610-5616 (2013). [PDF]

124.C.Y. Чоу и Г.С. Хван #, «Поверхностные эффекты на структуру и поведение лития в литиевом кремнии: исследование первых принципов», Surf. Sci. 612, 16-23 (2013). [PDF]

123.B. Патрик, Х. Хэм, Ю.Шао-Хорн, Л.Ф. Аллард, Г.С. Хванг и П.Дж. Феррейра, «Атомная структура и состав нанокатализатора Pt3Co в топливных элементах», Chem. Матер. 25, 530-535 (2013). [PDF]

122.М. Пан, Х.-К. Хэм, W.-Y. Yu, G.S. Hwang и C.B. Mullins #, «Высокоселективное, легкое восстановление NO2 до NO при криогенных температурах на золоте с предварительно нанесенным покрытием H», J. Am. Chem. Soc. , 135 (1), 436 (2013). [PDF]

121.Э. Пэк, А.Дж. Пак и Г.С. Хванг #, «Вычислительное исследование межфазной структуры и емкости графена в ионной жидкости [BMIM] [PF6]», J. Electrochem. Soc. , 160, А1 (2013). [PDF]

2012 г.

120.K.E. Kweon и G.S. Hwang #, «Функциональное исследование гибридной плотности структурных, связывающих и электронных свойств ванадата висмута», Phys.Ред. B 86, 165209 (2012). [PDF]

119.Y. Ли и Г.С. Хван #, «Механизм подавления теплопроводности в легированном кремнии», Phys. Ред. B 86, 075202 (2012). [PDF]

118.K.E. Kweon, G.S. Hwang # и Y.-H. Ким, «Спаривание бор-вакансия и его влияние на электронные свойства углеродных нанотрубок», ECS Solid State Lett. 1, М19 (2012). [PDF]

117.E.K. Ли, Л. Инь, Ю. Ли, Дж. У. Ли, С.Дж. Ли, Дж. Ли, С. Cha, D. Whang, G.S. Hwang , K. Hippalgaonkar, A. Majumdar, C. Yu, B.Y. Чой, Дж. М. Ким и К. Ким, «Большой термоэлектрический показатель достоинств SiGe-нанопроволок путем одновременного измерения электрических и тепловых транспортных свойств», Nano. Lett. 12, 2918 (2012). [PDF] .

116.Y. Ли и Г.С. Хванг #, «Параметризация потенциала Стиллинджера-Вебера для теплопроводности в кремнии на основе согласования сил», Phys.Ред. B . 85, 125204 (2012). [PDF]

115.H.-C. Хэм, Дж. А. Stephens, G.S. Hwang #, J. Han, S.W. Нам и Т. Лим, «Роль малых ансамблей Pd в ускорении окисления CO в сплавах AuPd», J. Phys. Chem. Lett . 3, 566 (2012). [PDF]

2011 г.

114.J.A. Stephens и G.S. Hwang #, «Расположение атомов в поверхностных сплавах AuPt / Pt (100) и AuPd / Pd (100): исследование методом Монте-Карло с использованием расширения кластеров на основе первых принципов», J.Phys. Chem. С . 115, 21205 (2011). [PDF]

113.S. Ли и G.S. Hwang #, «Основанный на валентном силовом поле метод вращения связей Монте-Карло для определения sp 2-связанных углеродных структур», J. Appl. Phys . 110, 0

(2011). [PDF]

112.C.-Y. Чоу, Х. Ким и Г.С. Хван #, «Сравнительное исследование первых принципов структуры, энергии и свойств сплавов Li-M (M = Si, Ge, Sn)», J.Phys. Chem. С . 115, 20018 (2011). [PDF]

111.H.-S. Парк, К. Квеон, Х. Йе, Э. Пэк, GS Hwang и А. Бард, «Факторы, влияющие на легирование BiVO4 металлом для улучшения фотоэлектрокаталитической активности, как было изучено с помощью сканирующей электрохимической микроскопии (SECM) и основных принципов плотностно-функционального расчета». ” J. Phys. Chem. С . 115, 17870 (2011). [PDF]

110.S. Ли, Р.Дж. Бонди и Г.S. Hwang ^# , «Ab Initio параметризованные поля валентных сил для структуры и энергетики аморфных материалов SiOx (0 Phys. Ред. B . 84, 045202 (2011). [PDF]

109.K.E. Kweon и G.S. Hwang ^# , «Дефектное ковалентное связывание графена с поверхностью аморфного кремнезема», ChemPhysChem. 12, 2155 (2011). [PDF]

108.S. Ли, Р.Дж. Бонди и Г.S. Hwang ^# , «Атомистическое структурное описание интерфейса Si (001) / a -SiO2: влияние различных параметров потенциала, подобных Китингу», J. Appl. Phys . 109, 113519 (2011). [PDF]

107.R.J. Бонди, С. Ли и Г.С. Хван ^# , «Изучение первых принципов структурных, электронных и оптических свойств кремниевых нанопроволок с оксидной оболочкой», ACS Nano 5, 1713 (2011). [PDF]

106.Х.-К. Хэм, Дж. А. Stephens, G.S. Hwang ^# , J. Han, S.W. Нам и Т. Лим, «Влияние ансамбля Pd на гидрирование кислорода в сплавах AuPd: комбинированная функциональная теория плотности и исследование методом Монте-Карло», Catalysis Today 165, 138 (2011). [PDF]

105.Y. Ли, С. Ли и Г.С. Хван ^# , «Влияние дефектов вакансий на теплопроводность в кристаллическом кремнии: исследование неравновесной молекулярной динамики», Phys.Ред. B 83, 125202 (2011). [PDF]

104.H.W. Ким, С.-Й. Чоу, Дж. Ekerdt и G.S. Hwang ^# , «Структура и свойства сплавов LiSi: исследование первых принципов», J. Phys. Chem. С 115, 2514-2521 (2011). [PDF]

103.R.J. Бонди, С. Ли и Г.С. Хван ^# , «Первые принципы прогнозирования увеличения оптического поглощения для кластеров собственных дефектов Si при двухосной деформации», Electrochem.Solid-State Lett. 14 (1) , П1-П4 (2011 г.). [PDF]

2010 г.

102. J.A. Стивенс, Х.-К. Ham, и G.S. Hwang ^# , «Атомные структуры поверхностных сплавов AuPd / Pd (111) и AuPt / Pt (111): комбинированная функциональная теория плотности и исследование методом Монте-Карло», J. Phys. Chem. С 114, 21516 (2010). [PDF]

101.K.E. Kweon и G.S. Hwang ^# , «Формирование, структура и связывание пар бор-вакансия в графене: исследование первых принципов», Phys. Ред. B 82, 195439 (2010). [PDF]

100.R.J. Бонди, С. Ли и Г.С. Хван ^# , «Роль структурных нарушений в оптическом поглощении в Si», Phys. Ред. B 82, 115214 (2010). [PDF]

99.JM Nagarah, E. Paek, Y. Luo, P. Wang, GS Hwang и JR Heath ^# , «Серийное производство высокопроизводительных кремниевых устройств с плоскими патч-зажимами из кварца», Advanced Materials 22, 4622 (2010). [PDF]

98. Х. Ким. К.Э. Квеон, Ч.-Й. Чоу, Дж. Ekerdt и G.S. Hwang ^# , «Он Природа и поведение атомов Li в Si: исследование первых принципов », J.Phys. Chem. С 114, 17942 (2010). [PDF]

97. H.C. Ветчина, Г.С. Hwang ^# , J. Han, S. В. Нам и Т. Х. Лим, «Первые принципы предсказания геометрических параметров. Влияние на вклад ансамбля в катализ: H ₂ O ₂ Образование из H ₂ и O ₂ на сплавах AuPd », J.Phys. Chem. С 114, 14922 (2010). [PDF]

96. R.J. Бонди, С. Ли и Г.С. Хван ^# , «Влияние деформации на стабильность. и структура кластеров вакансий в Si: исследование первых принципов », Phys. Ред. B 81, 245206 (2010). [PDF]

95. R.J. Бонди, С. Ли и г.С. Хван ^# , «Изучение первых принципов механические и оптические свойства аморфного гидрированного кремния и богатый кремнием оксид кремния », Phys. Ред. B 81, 195207 (2010). [PDF]

94. S.H. Ли, Дж. А. Стивенс, и G.S. Hwang ^# , «О природе и происхождении сегрегации поверхности Si в аморфном Au-Si». сплава », Дж.Phys. Chem. С 114 , 3037 (2010). [PDF]

93. J.H. Ю., X. Лю, К. Квеон, Дж. Джу, Дж. Пак, К.Т. Ко, Д.В. Ли, Дж. Сын, Дж. Парк, Ю.-В. Kim, G.S. Hwang , M. Dobrowolska, J. K. Furdyna ^# и T. Hyun ^# , «Гигантское зеемановское расщепление в контролируемой нуклеацией легированные квантовые наноленты CdSe: Mn ²⁺ , Nature Materials 9 , 47 (2010). [PDF]

200 9

92. S. Lee, R.J. Бонди и Г.С. Хван ^# , «Формирование и структура Дефекты вакансий в кремнии: объединенный мегаполис Монте-Карло, молекулярная динамика сильной связи и теория функционала плотности расчеты », Phys.Ред. B 80 , 245209 (2009). [PDF]

91. N. Kong ^# , Т.А. Кириченко, Г.С.Хван , С.К. Банерджи, «Дефект мышьяка Комплексы на границах раздела SiO ₂ / Si: функциональное исследование плотности, Phys. Ред. B 80 , 205328 (2009). [PDF]

90. С.Х. Ли и Г.С. Хван ^# , «Диффузия и кластеризация адатомов Au на Si с H-концом (111) — (1´1): исследование первых принципов », J. Chem. Phys. 131 , 144702 (2009). [PDF]

89. M.C. Ким, G.S. Hwang ^# , и R.S. Руофф, «Восстановление эпоксида Гидразина о графене: исследование первых принципов », J.Chem. Phys. 131 , 064704 (2009). [PDF]

88. H.-C. Ham, G.S. Hwang ^# , J. Han, S. W. Nam и T. H. Lim, «О роли ансамблей Pd в Селективное образование H ₂ O ₂ на поверхности сплава AuPd, J. Phys. Chem. C — Письмо 113 , 12943 (2009). [PDF]

87. R.J. Бонди, С. Ли, и Г.С. Хван ^# , «Теоретическая характеристика кремниевых межузельных кластеров в однородной среде. Поля деформации », Phys. Ред. B 80 , 125202 (2009). [PDF]

86. С.Ли, Р.Дж. Бонди и Г.С. Хван ^# , «Интегрированный атомистический Моделирование роста и структуры межузельных дефектов в кремнии », Molecular Моделирование 35 , 867 (2009) — Приглашены. [PDF]

85. R.J. Бонди, С. Ли и Г.С. Хван ^# , «Предсказание Формирование устойчивых периодических межузельных цепочек [(I ₄ ) _m , m = 1-4] в Si при двухосной деформации », Appl.Phys. Lett. 94 , 264101 (2009). [PDF]

84. C.-L. Куо и Г.С. Хван ^# , «Структура и диффузия бора. в аморфном кремнеземе: роль дефектов, связанных с кислородными вакансиями », Phys. Ред. B 79 , 165201 (2009). [PDF]

83. Р.Дж. Бонди, С. Ли и Г.С. Хван ^# , «Двухосное деформирование. Влияние на структуру и устойчивость межузельных кластеров в Кремний », Phys. Ред. B 79 , 104106 (2009). [PDF]

2008 г.

82. C.-L. Куо, С. Ли и Г.С. Хван ^# , «Деформационное образование поверхностных дефектов в аморфном кремнеземе: теоретическое Прогноз », Phys. Rev. Lett . 100 , 76104 (2008). [PDF]

81. S. Lee и G.S. Хван ^# , «Теоретическое определение устойчивых четырехкоординированных кластеров вакансий в Si, Phys.Ред. В 78 , 125310 (2008). [PDF]

80. Д. Ю., С. Ли, и G.S. Hwang ^# , «Структура и динамика Ge в системе Si / SiO ₂ : последствия роста наночастиц Ge в оксиде », Электрохим. Solid-State Lett. 11 , П17 (2008). [PDF]

79.N. Kong ^# , T.A. Кириченко, Г.С.Хван , С.К. Банерджи, «Динамика диффузии бора на основе внедрения в аморфном кремнии», Appl. Phys. Lett. 93 , 082109 (2008). [PDF]

78. C.-L. Куо, С. Ли и Г.С. Хван ^# , «Структура и динамика кремний-кислородных пар и Их роль в самодиффузии кремния в аморфном кремнеземе », J.Прил. Phys. 104 , 054906 (2008). [PDF]

77. J. Shin, H.-W. Ким, К. Агапиу, Р.А. Джонс, Г.С. Хван, J.G. Экердт ^# , «Влияние P на пленки сплава Ru-P аморфного химического осаждения из паровой фазы для Cu соединить линейные приложения , J. Vac. Sci. Technol. А26 , 974 (2008 г.). [PDF]

76.С. Ли и Г.С. Хван ^# , «Рост и изменение формы малых межузельных кластеров кремния», Phys. Ред. B 78 , 045204 (2008). [PDF]

75. J.A. Кенни, Э. Пэк и Г.С. Хванг ^# , «Стохастическая плазменная зарядка. наноразмерных диэлектрических поверхностей », IEEE Trans. Plasma Sci., Special Issue: Images in Наука о плазме 36 , 878 (2008). [PDF]

74. C.-L. Куо и Г.С. Хван ^# , «О происхождении азот-индуцированного замедления диффузии бора в аморфных Кремнезем », , заявл. Phys. Lett . 92 , (2008). [PDF]

73. С. Ли и г.С. Хван ^# , «Структура и устойчивость малых компактных межузельных кластеров в кристаллический кремний », Phys. Ред. B 77 , 85210 (2008). [PDF]

2007 г.

72. S.H. Ли и Г.С. Хван ^# , «Структура, энергетика и связывание аморфных сплавов Au-Si», J.Chem. Физика 127 , 224710 (2007). [PDF]

71. Д. Ю., С. Ли, и Г. С. Хван ^# , «О происхождении образования нанокристаллов Si в матрице субоксида Si», J. Appl. Phys. 102 , 84309 (2007). [PDF]

70. Дж. Шин, Х.-W. Ким, Г.С. Hwang, и J.G. Ekerdt ^# , «Химические пути к ультра тонкие пленки для медных барьеров и лайнеров, « Surface & Coatings Technol. 201 , 9256 (2007). [PDF]

69. С. Харрисон, Т. Эдгар и Г.С. Хван ^# , «Прогнозирование B-Si _i -F. Формирование комплекса и его роль в подавлении и дезактивации B TED, “ J.Прил. Phys. 101 , 66102 (2007). [PDF]

68. Дж. Кенни и Г.С. Хван ^# , «Предсказание стохастического поведение при дифференциальной зарядке диэлектрических поверхностей с наночастицами во время плазменная обработка », J. Appl. Phys. 101 , 44307 (2007). [PDF]

67. Дж. Шин, А. Вахид, W.А. Винкенвердер, Х.-В. Ким, К. Агапиу, Р.А. Jones, G.S. Hwang, и J.G. Ekerdt ^# , «Химическое осаждение из паровой фазы. пленок аморфного сплава рутений-фосфор, « Тонкие твердые пленки. 515 , 5298 (2007). [PDF]

2006 г.

66. C.-L. Куо и г.С. Хван ^№ , «Структура и Взаимное превращение дефектов, связанных с кислородными вакансиями, на аморфном кремнеземе, Phys. Rev. Lett. 97 , 66101 (2006). [PDF]

65. Д. Пиллэй, Ю. Ван и Г.С. Хван ^# , «Прогнозирование тетраоксигена. Образование на рутиле TiO ₂ (110), « J. Am. Chem. Soc. 128 , 14000 (2006). [PDF]

64. Дж. Шин, А. Waheed, K. Agapiou, W.A. Winkenwerder, H.-W. Ким, Р.А. Джонс ^# , G.S. Hwang ^# и J.G. Экердт ^# , ”Выращивание ультратонких пленок аморфных сплавов рутений-фосфор с использованием Прекурсор CVD из одного источника », J. Am. Chem. Soc. 128 , 16510 (2006). [PDF]

63. С. Харрисон, Т. Эдгар и Г.С. Хван ^# , «Предсказание аномального Диффузия межузельных пар фтор-кремний в кристаллическом кремнии, “ Phys. Преподобный Б-рапид связь 74 , 121201 (2006). [PDF]

62. С. Харрисон, Т. Эдгар и г.С. Хван ^# , «Межстраничный Механизмы диффузии мышьяка и фосфора в кремнии, Phys. Ред. B 74 , 195202 (2006). [PDF]

61. С. Харрисон, Т. Эдгар и Г.С. Хван ^# , «Межстраничные опосредованные. Кластеризация мышьяка в образовании сверхмелких переходов, « Электрохим.Solid-State Lett. 9 , G354 (2006). [PDF]

60. D. Pillay and G.S. Hwang ^# , “O ₂ — Покрытие Зависимое окисление CO от восстановленного TiO ₂ (110): первые принципы Исследование, « J. Chem. Phys. 125 , 144706 (2006). [PDF]

59.Д. Пиллэй и Г.С. Hwang ^# , «Структура мелкого Au _n , Ag _n , и Cu _n Кластеры (n = 2-4) на рутиловом TiO ₂ (110): A Плотность Исследование функциональной теории », J. Mol. Struct.- THEOCHEM 771 , 129 (2006) ( приглашенный вклад ). [PDF]

58. J.Кенни и Г.С. Хванг ^# , «Вычислительный анализ Взаимодействие внутри инструмента в электрохимической микрообработке с помощью инструмента Multitip Tool Электроды, « Электрохим. Solid-State Lett. 9 , Д21 (2006). [PDF]

57. J. Kenney и G. S. Hwang ^# , «Тенденции изменения электрохимической обработки с УКИ. импульсы: предсказание на основе теории и моделирования », Электрохим.Solid-State Lett. 9 , D1 (2006). [PDF]

2005

56. С. Харрисон, Т. Эдгар и Г. С. Хванг ^# , «Структура, стабильность и диффузия мышьяка-кремния. Межстраничные пары », Прил. Phys. Lett. 87 , 231905 (2005). [PDF]

55. Ю. Д., Т.А. Кириченко, С. Банерджи и Г. С. Хванг ^# , «Структура и диффузия избыточных атомов Si в SiO ₂ », Phys. Ред. B 72, 205204 (2005). [PDF]

54. Л. Линь ^№ , Т. Кириченко, Б.Саху, Г. С. Хванг и С. Банерджи, «Теоретическое исследование B диффузия с заряженными дефектами в напряженном Si », Phys. Ред. B 72 , 205206 (2005). [PDF]

53. С. Харрисон, Т. Эдгар и Г. С. Хванг ^# , «Структура и динамика комплекса ди мышьяка в кристаллах. Кремний », Phys.Ред. B 72 , 195414 (2005). [PDF]

52. Пиллэй Д. и Г. С. Хван ^# , «Рост и структура мелких частиц золота. на TiO ₂ (110) Рутил, Phys. Ред. B 72 , 205422 (2005). [PDF]

51.Т. Кириченко Д.Ю., С. Банерджи , и G. S. Hwang ^# , «Межузельные слои кремния на интерфейсах Si / SiO ₂ : Плотность функциональные расчеты », Phys. Ред. B 72 , 35345 (2005).

50. Д. Пиллэй, Й. Ван и Г. С. Хван ^# , «Рост, структура и Химия металлических кластеров 1B на основе TiO ₂ (110): атомный уровень Понимание из исследований первых принципов », Catalysis Today 105 , 78 (2005). (Приглашенный вклад)

49. J. Kenney и G. S. Hwang ^# , «Электрохимическая обработка с ультракороткие импульсы напряжения: моделирование динамики заряда и профиля характеристик эволюция », Нанотехнологии 16 , S309 (2005). (Приглашенный вклад)

48.Ю. Ван и Г. С. Хван ^# , «Происхождение нелокальных взаимодействий при адсорбции полярных молекул. on Si (001) -2´1, J. Chem. Phys. 122 , 164706 (2005).

47. Ю. Ван и Г. С. Хван ^# , «Рост с помощью P Molecular Wires on Si (001) -2´1 », Appl.Phys. Lett. 86 , 23108 (2005).

2004

46. С. Харрисон, Т. Эдгар и Г. С. Хванг ^# , «Взаимодействие между межузельными элементами и комплексами мышьяк-вакансия. в кристаллическом кремнии », Appl. Phys. Lett , 85 , 4935 (2004).

45.Л. Линь ^№ , Т. Кириченко, С. Банерджи и Г. С. Хванг , «Диффузия бора в деформированном Si: A исследование первых принципов », J. Appl. Phys. 96 , 5543 (2004).

44. Т. Кириченко, С. Банерджи и Г. С. Хванг ^# , «Влияние химии поверхности на вакансию и междоузлия. Аннигиляция на Si (001) », Phys . Статус Solidi B 241 , 2303 (2004).

43. С. Харрисон, Т. Кириченко, Д. Ю, Т. Эдгар, С. Банерджи и Г. С. Хванг ^# , «Происхождение вакансий и промежуточных страниц. стабилизация на границе раздела аморфно-кристаллический Si », J. Appl. Phys. 96 , 3334 (2004).

42.Ю. Ван, Д. Пиллэй и Г. С. Хван ^# , «Динамика форм кислорода. на восстановленном TiO ₂ (110) рутиле », Phys. Ред. B , 70 , 1 (2004) .

41. Т. Кириченко, С. Банерджи , и Г. С. Хван ^# , «Взаимодействие нейтральных вакансии и междоузлия с поверхностью Si (001) », Phys.Ред. B 70 , 45321 (2004).

40. J. Кенни, В. Шин и Г. С. Хванг ^# , «Двумерный Расчетная модель электрохимической микрообработки с ультракоротким напряжением Импульсы », Прил. Phys. Lett . 84 , 3774 (2004).

39.Ю. Ван, С. Ли и Г. С. Хван ^# , «Влияние подповерхностного бора. и фосфор на поверхностной реакционной способности Si (001): воды и аммиака Адсорбция », Дж. Phys. Chem. В 108 , 16147 (2004).

38. Т. Кириченко, С. Банерджи , и г.Hwang ^# , «Механизмы аннигиляции моновакансий и создания дефектов типа А» на Си (001) -2´1, » Прибой. Sci. 555 , 187 (2004).

37. Д. Pillay, Y. Wang и G. S. Hwang ^# , «Сравнительное теоретическое исследование адсорбции Au, Ag и Cu на TiO ₂ (110) рутиловых поверхностей », KJChE 21 , 537 (2004) (приглашенный вклад) .

36. Ю. Wang и G. S. Hwang ^# , «Двумерное расположение CH ₃ NH ₂ Адсорбция на Si (001) -2´1», Chem. Phys. Lett . 385 , 144 (2004) .

35. Д. Пиллэй, Б. Стюард, К. Шин и Г. С. Хванг ^# , «Возвращение к модели Изинга для фазового перехода порядок-беспорядок на Si (001), ” Surf.Sci . 554 , 150 (2004).

2003

34. Ю. Ван и Г. С. Хван ^# , «Функция подземных пород. Бор на Si (100) -2´1: Адсорбция воды », Surf. Sci . 547 , L882 (2003).

33. Ю. Ванга и г.С. Хванг ^# , «Адсорбция атомов Au на стехиометрическом и восстановленном TiO ₂ (110) рутиловые поверхности: исследование первых принципов », Surf. Sci . 542 , 72 (2003).

ПЕРЕД UT-AUSTIN

32. G. S. Hwang и W. A. ​​Goddard III, «Плечо в профилях диффузии B в Si: роль диффузия дибора », Appl.Phys. Lett . 83, , 3501 (2003).

31. G. S. Hwang и W. A. ​​Goddard III, «Каталитическая роль бора в само-межузельной кластеризации в Si», Appl. Phys. Lett, 83 , 1047 (2003).

30. G. S. Hwang и W. A. ​​Goddard III, «Диффузия пары дибора в кремнии», Phys. Rev. Lett. 89 , 55901 (2002).

29. G. S. Hwang и W. A. ​​Goddard III, «Диффузия и диссоциация нейтральных дивакансий в кристаллическом кремнии», Phys. Ред. B 65 , 233205 (2002).

28. G. S. Hwang и C.-B. Шин, «Диссоциативный Адсорбция H ₂ на поверхности H / Si (001): влияние интрадимерного p – связывания Разрушение », J.Электрохим. Soc . 148 , G692 (2001).

27. Г. С. Хван , «Канал для димера. Переворачивание на поверхности Si (100); Исследование первых принципов », Surf. Sci . 465 , L789 (2000).

26. К. P. Giapis, G. S. Hwang и O. Жубер, «Роль заряда маски в эволюции профиля и оксиде затвора. деградация », Microelectronic Англ. 61-2 , 835 (2000).

25. К. П. Джапис и Г. С. Хванг , «Плазма. взаимодействие с структурированными поверхностями с высоким соотношением сторон: перенос ионов, рассеяние и роль заряда », Тонкие твердые пленки 374 , 175 (2000).

24. G. S. Hwang , C.-B. Шин, С.-В. Нам , и С.Х. Мун, «Влияние кинетики поверхности на покрытие ступеней при Химическое осаждение из паровой фазы », J. Materials Res. . 14 , 2377 (1999).

23. Г. С. Хван и К. П. Гиапис, «Роль кино Соответствие повреждений при зарядке при плазменном межуровневом диэлектрике Осаждение », J. Vac. Sci. Технол . В 17 , 999 (1999).

22. G. S. Hwang и K. P. Giapis, «Зарядка в плазме в зависимости от модели», IEEE Trans. Plasma Sci., Special Issue: Images in Наука о плазме 27 , 102 (1999).

21. Г. С. Хван и К. П. Гиапис, «Зарядка Повреждения при перетягивании остаточного металла », , заявл. Phys. Lett . 74 , 932 (1999).

20. г.С. Хванг и К. П. Джапис, «The Влияние поверхностных токов на зависящую от модели зарядку и надрез », J. Appl. Phys . 84 , 683 (1998).

19. G. S. Hwang и K. P. Giapis, «Моделирование повреждения заряда при межуровневом осаждении оксида в плазме высокой плотности », J. Appl. Phys . 84 , 154 (1998).

18. г.С. Хван и К. П. Джапис, «Механизм уменьшения заряда при импульсном плазменном травлении», Jap. J. Appl. Phys. 37 , 2291 (1998).

17. К. П. Джапис и Г. С. Хванг , «Зарядка в зависимости от модели и роль электрона. Туннелирование », яп. J. Appl. Phys . 37, , 2281 (1998). (Обзорная статья)

16. Г. С. Хванг, и К. П. Гиапис, «Роль подложки при зарядке, зависящей от модели », J. Electrochem. Soc . 144 , L320 (1997).

15. Г. С. Хван и К. П. Гиапис, «О Происхождение зарядовых повреждений при травлении антенных конструкций, J. Electrochem. Soc . 144 , L285 (1997).

14. G. S. Hwang и K. P. Giapis, «Моделирование переходного процесса через ультратонкие оксиды затвора в плазме. Офорт », , заявл. Phys. Lett . 71 , 1945 (1997).

13. Г. С. Хван и К. П. Гиапис, «Как Туннельные токи уменьшают индуцированный плазмой заряд », Appl. Phys. Lett . 71 , 2928 (1997).

12. Г. С. Хван и К. П. Гиапис, «Ионная масса. Влияние на плазменный заряд », Appl. Phys. Lett . 71 , 1942 (1997).

11. Г. С. Хван и К. П. Джапис, «О Связь между электронным затенением и повреждением заряда », J. Vac. Sci. Технол . В 15 , 1839 (1997).

10. г.С. Хванг и К. П. Джапис, «Электрон Облучение проводящей боковой стенки: определяющий фактор повреждения заряда », J. Vac. Sci. Технол . В 15 , 1741 (1997).

9. G. S. Hwang и K. P. Giapis, «Зарядка в плазме, зависящая от модели: влияние температуры электронов», Phys. Rev. Lett . 79 , 845 (1997).

8. Г. С. Хванг и К. П. Гиапис, «Аспект Независимое от соотношения травление диэлектриков, Appl. Phys. Lett . 71, , 458 (1997).

7. Г. С. Хван и К. П. Гиапис, «The Влияние толщины маски на повреждение заряда при перерастяжении », J. Appl. Phys . 82 , 572 (1997).

6. Г. С. Хван и К.П. Джапис, «Зарядка, зависящая от соотношения сторон в плазме высокой плотности», J. Appl. Phys . 82 , 566 (1997).

5. г. С. Хванг и К. П. Джапис, «Прогнозирование многофакторных эффектов в Плазменное травление », Appl. Phys. Lett . 70, , 2377 (1997).

4. Г.С.Хван и К. П. Джапис, «The Влияние температуры электронов на заряд, зависящий от модели при травлении в плазме высокой плотности », J. Appl. Phys . 81, , 3433 (1997).

3. г. С. Хван и К. П. Джапис, «О происхождении эффекта выемки во время Травление в однородной плазме высокой плотности », J. Vac. Sci. Технол . В 15 , 70 (1997).

2. Г. С. Хван , К. М. Андерсон, М. Дж. Гордон, Т. А. Мур, Т. К. Минтон, К. П. Гиапис, «Динамика поверхности газа и Эволюция профиля при травлении кремния », Phys. Rev. Lett . 77 , 3049 (1996).

1. C.-B. Шин, К. Х. Ли, Г. С. Хван , С. Х. Мун, В. И. Чо и К. С. Юн, «Исследование механизма образования пленки, проведенное Ионизированное кластерное осаждение пучком », J.корейской инд. и англ. Химия 7 , 464 (1996).

Реферированные материалы: (# указывает корреспондента)

24. Дж. G. Ekerdt ^# , J. Shin, H. Kim, L.B. Henderson, G. S. Hwang , K. Agapiou. И Р. А. Джонс, «Химический пар. Осаждение пленок аморфного рутениево-фосфорного сплава для медных межсоединений Приложения », 2007 Advanced Конференция по Металлизации , г. Олбани , Нью-Йорк , 2007.

23. С. Ли и Г. С. Хван ^# , «Структура и устойчивость малых Само-интерстициальные кластеры в Si: предсказание Монте на основе первых принципов Carlo Simulations », The Electrochemical Общество , г. Чикаго , Иллинойс , 2007.

22. К.Э. Квеон, С. А. Харрисон и Г. С. Хванг ^# , «Структура и распространение Фосфор на моногидриде Si (001) -2´1-H », Электрохимическое общество , Чикаго, Иллинойс, 2007.

21. Н. Конг, Т. Кириченко, G.S. Hwang, M.C. Фуази, С.Г. Андерсон, С.К. Банерджи, «Экспериментальное исследование и имитационное моделирование. диффузионного поведения мышьяка в кремнии с точечными дефектами », Матем.Res. Soc. Сим. Proc ., Сан-Франциско , CA , 2007 .

20. Д. Yu, S. Lee и G. S. Hwang ^# , «Многомасштабное моделирование роста и Структура наночастиц кремния в оксидной матрице, Матем. Res. Soc. Сим. Proc ., Бостон , MA , 2006 .

19. С. Ли, Д. Ю и Г. С. Хван ^# , «Понимание синтеза и Структура нанокристаллов Si в оксидной матрице из первых принципов, основанных на Атомистическое моделирование, Матем. Res. Soc. Сим. Proc ., Бостон , MA , 2006 .

18.С. Харрисон, Т. Эдгар и Г. С. Хванг ^# , «Механизмы интерстициально-опосредованного переходного процесса. Усиленная диффузия легирующих примесей N-типа ”, Матем. Res. Soc. Сим. Proc ., Сан Франциско , CA , 2006 .

17. Ю. Лю ^№ , С.Тан, Д. Ю, Г. С. Хван , С. Банерджи, «Туннель. Зависимость энергии активации от толщины оксида для вспышки квантовых точек SiGe Память, » 63 ^rd Годовой Конференция по исследованиям устройств , Санта Барбара , CA , 2005.

16. С. Харрисон, Т.Эдгар и Г. С. Хван ^# , «Роль межстраничных объявлений в переходном периоде. Усиленная диффузия и кластеризация в Si, Матем. Res. Soc. Сим. Proc ., Сан Франциско , CA , 2005 .

15. С. Харрисон, Т. Эдгар и Г. С. Хванг ^# , «Диффузия фтор-кремния. Комплекс внедрения в кристаллическом кремнии, Матем.Res. Soc. Сим. Proc ., Сан Франциско , CA , 2005 .

14. Т. Кириченко Д.Ю., С. Банерджи , и G. S. Hwang ^# , «Поведение Междоузлия Si и пары бор-междоузлие на границе Si (001) / SiO ₂ , Матем. Res. Soc. Сим.Proc ., Сан-Франциско , CA , 2004 .

13. Дж. Кенни и Г. С. Хванг ^# , «Двумерная вычислительная модель. для электрохимической микрообработки ультракороткими импульсами напряжения », The Electrochemical Society , Сан Антонио , Техас , 2004 г.

12. С. Харрисон, Т. Эдгар и Г. С. Хванг ^# , «Взаимодействие между межстраничными объявлениями и Комплексы мышьяк-вакансия в кристаллическом кремнии », Электрохимическое общество, , Сан Антонио , Техас , 2004.

11. Т. Кириченко Д.Ю., С.Банерджи и Г.С. Хван ^# , «Структура и динамика межузельных атомов Si в Si (001) и Si (001) / SiO ₂ , ” Электрохимическое общество , Сан-Антонио, Техас, 2004.

10. Г. С. Хван и К. П. Гиапис, «О Зависимость повреждения от плазменной зарядки от площади антенны », Proc. 4 ^th Междунар. Symp. на плазме Повреждения, вызванные технологическим процессом ( Монтерей , CA ), 21 (1999).

9. Г. С. Хван , «Зависит от шаблона. Повреждение заряда в процессах с высокой плотностью плазмы », Интерфейс (Электрохимическое общество), том 7 (1998).

8. г. С. Хван и К.П. Гиапис, «Влияние заряда маски на профиль объекта. Эволюция при плазменном травлении высокой плотности », Proc. Symp. по плазменной обработке XII , под редакцией Г.С. Матад (Электрохимическое общество, Pennington , Нью-Джерси ), Том 96-12 , 66 (1998).

7. С. Б. Шин и Г. С. Хван , «Главный фактор Определение равномерного покрытия ступеней при химическом осаждении из паровой фазы », Матем. Res. Soc. Сим. Proc . Vol. 514 , 369 (1998).

6. G. S. Hwang и K. P. Giapis, «Механизм повреждения заряда при межуровневом оксидном осаждении в Плазменные инструменты высокой плотности », Proc. 3 ^nd Междунар. Symp. о повреждениях, вызванных плазменным процессом ( Гонолулу , HW), 164 (1998).

5. Г. С. Хван и К. П. Гиапис, «Роль электронного туннелирования при зарядке, зависящей от модели », 19 ^th Dry Process Symposium ( Токио , Япония ), 1 (1997).

4. г. С. Хванг и К. П. Джапис, «Моделирование переходного тока через Ультратонкий оксид затвора во время плазменного травления », 23 ^rd Труды ежегодного семинара по плазме Tegal ( Сан-Франциско , CA ), 79 (1997).

3. г. С. Хван и К.П. Гиапис, «О связи между затенением электронов и Charging Damage », Proc. 2 ^nd Междунар. Symp. о повреждениях, вызванных плазменным процессом ( Монтерей , CA ), 63 (1997).

2. К. М. Андерсон, Г. С. Хван , М. Дж. Гордон, и К. П. Гиапис, «Эволюция профиля при травлении нейтральным пучком», Proc.Symp. по плазменной обработке XI , под редакцией Г. С. Матада и В. Гесса (Электрохимическое общество, Пеннингтон, Нью-Джерси), Vol 96-12 , 357 (1996).

1. Г. С. Хван , К. Б. Шин и С. Х. Мун, «Моделирование контура роста пленки в узкой глубокой канавке и пленка. Кристаллический в процессе LPCVD », Матем. Res. Soc. Сим. Proc . Vol. 389 , 125 (1995).

Патенты / раскрытие информации: (# указывает автор-корреспондент)

1. «Де Novo Processing of Electronic Materials », Патент США № США 6685772 B2 , 2004, с У. А. Годдардом III.

2. «Метод прогнозирования Поведение легирующих примесей и дефектных компонентов », Патент США № US 7074270 B2 , 2006, с С. Юдзуру, У. Масамицу и В. А. Годдард III.

3. «Метод для Прогнозирование синтеза, структуры и свойств внедренных нанокристаллов Si в оксидных матрицах », Патент США. (№ заявки: US11537423, с Д. Ю. (коммерциализация компании Intellectual Ventures)

4.«Модель из первых принципов для прогнозирования эволюции концентрации примеси N-типа и электрического Профили активности при формировании сверхмелких переходов », Патент США (№ заявки: US11536740), совместно с С. Харрисоном. (коммерциализация Intellectual Ventures)

Rapid Group GmbH — Elektrische Kühlflüssigkeitspumpe

RAPID Group GmbH Bahnhofstr.53-55 64560 Riedstadt Тел .: +49 (0) 6158- 0 Факс: +49 (0) 6158- 50 www.rapid-group.de

Elektrische Kühlflüssigkeitspumpe KP 140 E / 1 Artikel-Nr .: 20 123 Elektrische Pumpe für Kühlflüssigkeit zum Anschluss an Druckleitungen Beschreibung Elektrische Pumpe für Kühlflüssigkeit zum Anschluss an Druckleitungen. Rücklaufschlauch, Wandkonsole Ein- / Ausschalter Netzsteckerfertig verkabelt Leistung 0,55 кВт / 230 В Anschluss an Wechselstrom und Drehstrom Druck макс. 15 бар Förderleistung bis zu 10 Ltr. / min je nach Viskosität Anschlüsse: Anschluss (Druckseite): G 3/4 «AG Аншлюс (Saugseite): G 3/4 «AG Technische Daten Förderleistung 10 л / мин Förderdruck 15 бар Antriebsleistung 0,55 кВт Antriebsspannung (elektrisch) 230 В Zubehör

Ответить Отменить ответ Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены * Комментарий * Имя * Email * Сайт